[发明专利]内存装置控制器及内存存取方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种内存装置控制器，更具体地，有关于一种内存装置控制 器以及内存存取方法。

背景技术

随着内存装置中半导体装置的尺寸缩小，半导体装置间的不匹配使得内存 的最小操作电压受限制，此外，由于半导体装置的可靠度需求使得操作电压的 最大值也受到限制。因此，内存的操作电压范围随着内存内部半导体装置尺寸 缩小而变得越来越窄。当内存在低操作电压下工作时，例如待机模式或省电模 式，内存装置的输出数据可能会发生错误。

因此，期望提供一种内存装置控制器，具有模式选择单元且可在多个模式 的至少一个模式中执行修复操作(repairoperation)。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种内存装置控制器以及内存存取方法。

本发明提供一种内存装置控制器，该内存装置控制器用于存取内存装置的 内存，且该内存具有数据存储区域以及数据校正区域，该内存装置控制器包括： 模式选择单元，用于根据该内存的操作电压来选择该内存装置控制器的模式； 其中，当该内存在第一操作电压下工作时，该模式选择单元选择该内存装置控 制器的第一模式，且在该第一模式下，该内存装置控制器将输入数据写入该数 据存储区域以作为存储数据，且该内存装置控制器从该数据存储区域读出该存 储数据以作为输出数据；以及当该内存在第二操作电压下工作时，该模式选择 单元选择该内存装置控制器的第二模式，且在该第二模式下，该内存装置控制 器执行校正功能以对该输入数据进行编码以产生已编码输入数据、或者将该已 编码输入数据中的输入数据及校验位数据分别写入该数据存储区域以及该数据 校正区域以分别作为该存储数据以及校正数据、或者读出该存储数据及该校正 数据以及对该存储数据及该校正数据进行译码以产生该输出数据。

本发明另提供一种内存装置控制器，该内存装置控制器用于存取该内存装 置的内存，该内存装置控制器包括：模式选择单元，用于选择该内存装置控制 器的模式；其中，当该内存装置控制器在第一模式下工作时，该内存装置控制 器用于将输入数据写入该内存的数据存储区域以作为存储数据，且该内存装置 控制器用于自该数据存储区域读出该存储数据以作为输出数据；以及其中，当 该内存装置控制器在第二模式下工作时，该内存装置控制器通过执行修复操作 来存取该内存。

本发明还提供一种内存存取方法，用于存取内存装置的内存，该内存存取 方法包括：选择存取该内存的模式；当选择第一模式时，通过经标准路径执行 标准操作来存取该内存；以及当选择第二模式时，通过执行修复操作来存取该 内存。

本发明提供的内存装置控制器具有模式选择单元，可在多个模式的至少一 个模式中执行修复操作以降低数据输出错误率。

附图说明

图1为根据本发明实施例的内存装置示意图；

图2为根据本发明实施例的控制器的示意图；

图3为内存装置的良率与位错误率之间的关系示意图；

图4为对于具有不同数据总线宽度的SRAM装置执行ECC功能时的面积成本 示意图；

图5为根据本发明实施例内存存取方法流程图。

具体实施方式

以下描述为本发明实施的较佳实施例。以下实施例仅用来例举阐释本发明 的技术特征，并非用来限制本发明的范畴。本发明保护范围当视后附的权利要 求所界定为准。