[发明专利]大功率水冷式半导体激光器

权利要求书

1.一种大功率水冷式半导体激光器，其特征在于，包括开设有水冷流道的水冷基座，所述水冷基座上安装有至少两个的激光器单体，所述激光器单体的两侧向下引出电极铜片，所述电极铜片与安装于水冷基座底部的电路板电连接将所述各个激光器单体串联起来。

2.根据权利要求1所述的大功率水冷式半导体激光器，其特征在于，所述激光器单体包括紧贴水冷基座设置的热沉，所述热沉上焊接导热陶瓷片，所述导热陶瓷片的上端面焊接有两个散热片，所述两个散热片的端面外侧均开设有凹槽，所述凹槽内焊接电极铜片，且所述两个散热片之间焊接固定激光器巴条。

3.根据权利要求1或2任一项所述的大功率水冷式半导体激光器，其特征在于，所述水冷基座为长条形，包括底板和设置于底板两端的侧板，两侧板之间为水冷本体，所述水冷本体上开设有水冷流道，且所述水冷本体的上端面为平面结构，所述激光器单体通过固定组件安装于水冷本体上。

4.根据权利要求3所述的大功率水冷式半导体激光器，其特征在于，所述固定组件包括水冷本体两侧对应向外延伸的间隔布置的对应激光器单体个数设置的凸块，所述凸块的下端面与底板之间留有间隙，配合每个凸块设置有绝缘框架，所述绝缘框架为方形框架，且其一侧边向一侧延伸有台阶面，所述方形框架穿过热沉的一侧边扣合于凸块上，所述台阶面的上端面和凸块的下底面之间安装弹性部件。

5.根据权利要求1所述的大功率水冷式半导体激光器，其特征在于，所述激光器单体的设置个数为11个，功率为40W。

6.根据权利要求4所述的大功率水冷式半导体激光器，其特征在于，所述弹性部件为螺旋形弹簧或片式卡簧的任一种。

7.根据权利要求2所述的大功率水冷式半导体激光器，其特征在于，所述热沉为金属实体结构，呈十字型结构。

8.根据权利要求3所述的大功率水冷式半导体激光器，其特征在于，所述水冷本体的底部开设有若干个螺纹孔，对应于电路板上开设通孔，通过固定螺钉穿过通孔将电路板安装于水冷本体的底部压紧电极铜片。

9.根据权利要求4所述的大功率水冷式半导体激光器，其特征在于，所述绝缘框架为表面经阳极氧化处理的金属实体结构。