[发明专利]占空比调整电路有效
申请号: | 201210124638.7 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN102638246B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 陈丹凤 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03K3/017 | 分类号: | H03K3/017 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调整 电路 | ||
1.一种占空比调整电路,用于调整第一时钟信号的占空比,以得到第三时钟信号,其特征在于,包括:脉宽调整单元、整形单元和反馈单元;其中,
所述脉宽调整单元,输入所述第一时钟信号和控制信号,输出第二时钟信号;
所述整形单元,输入所述第二时钟信号,输出所述第三时钟信号;
所述反馈单元包括:二分频器和控制信号产生单元;所述二分频器输入所述第三时钟信号,输出第四时钟信号;所述控制信号产生单元输入所述第三时钟信号和第四时钟信号,输出所述控制信号。
2.如权利要求1所述的占空比调整电路,其特征在于,所述脉宽调整单元包括:第一晶体管和第二晶体管;
所述第一晶体管的栅极输入所述控制信号,所述第二晶体管的栅极输入所述第一时钟信号;
所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极相连接输出所述第二时钟信号;
所述第一晶体管的源极连接第一电压源,所述第二晶体管的源极连接第二电压源。
3.如权利要求1所述的占空比调整电路,其特征在于,所述整形单元包括多个串接的反相器。
4.如权利要求3所述的占空比调整电路,其特征在于,所述控制信号产生单元包括:第一电荷泵、第二电荷泵、放大器、第一电容、第二电容和第三电容;
所述第一电荷泵的输入端输入所述第三时钟信号,输出端与所述第一电容的第一端相连接;
所述第二电荷泵的输入端输入所述第四时钟信号,输出端与所述第二电容的第一端相连接;
所述放大器的同相输入端与所述第一电容的第一端相连接,反向输入端与所述第二电容的第一端相连接,输出端与所述第三电容的第一端相连接,输出所述控制信号;
所述第一电容的第二端、第二电容的第二端和第三电容的第二端分别连接接地电压源。
5.如权利要求4所述的占空比调整电路,其特征在于,所述整形单元包括奇数个串接的反相器,所述放大器的同向输出端与所述第三电容的第一端相连接。
6.如权利要求4所述的占空比调整电路,其特征在于,所述整形单元包括偶数个串接的反相器,所述放大器的反向输出端与所述第三电容的第一端相连接。
7.如权利要求4所述的占空比调整电路,其特征在于,所述第一电荷泵包括:第一电流源、第二电流源、第三晶体管和第四晶体管;
所述第一电流源的第一端连接电源电压源,第二端与所述第三晶体管的源极相连接;
所述第二电流源的第一端与所述第四晶体管的源极相连接,第二端连接接地电压源;
所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极相连接输入所述第三时钟信号,所述第三晶体管的漏极、第四晶体管的漏极与所述第一电容的第一端相连接。
8.如权利要求7所述的占空比调整电路,其特征在于,所述第三时钟信号的占空比关联于所述第一电流源的电流值与所述第二电流源的电流值之比。
9.如权利要求8所述的占空比调整电路,其特征在于,所述第一电流源的电流值与所述第二电流源的电流值相等时,所述第三时钟信号的占空比为50%。
10.如权利要求7所述的占空比调整电路,其特征在于,所述第三晶体管为PMOS管,所述第四晶体管为NMOS管。
11.如权利要求4所述的占空比调整电路,其特征在于,所述第二电荷泵包括:第三电流源、第四电流源、第五晶体管和第六晶体管;
所述第三电流源的第一端连接电源电压源,第二端与所述第五晶体管的源极相连接;
所述第四电流源的第一端与所述第六晶体管的源极相连接,第二端连接接地电压源;
所述第五晶体管的栅极与所述第六晶体管的栅极相连接输入所述第四时钟信号,所述第五晶体管的漏极、第六晶体管的漏极与所述第二电容的第一端相连接。
12.如权利要求11所述的占空比调整电路,其特征在于,所述第三电流源的电流值与所述第四电流源的电流值相等。
13.如权利要求11所述的占空比调整电路,其特征在于,所述第五晶体管为PMOS管,所述第六晶体管为NMOS管。
14.如权利要求2所述的占空比调整电路,其特征在于,所述第一晶体管为PMOS管,所述第一电压源为电源电压源,所述第二晶体管为NMOS管,所述第二电压源为接地电压源。
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