[发明专利]外延结构体

权利要求书

1.一种外延结构体，其特征在于，所述外延结构体包括依次层叠设置的一基底，一石墨烯层及一外延层，所述基底与所述外延层接触的表面具有多个微米级凹陷，相邻的凹陷之间形成凸起，形成一图案化的表面，所述石墨烯层设置于所述图案化的表面，所述外延层与所述基底接触的表面与所述图案化的表面耦合，对应凸起位置处的石墨烯层夹持于基底与外延层之间，对应凹陷位置处的石墨烯层嵌入所述外延层中。

2.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层由一单层石墨烯或多层石墨烯组成的连续的整体结构。

3.如权利要求2所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层包括至少一石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜为一连续的单层单原子层。

4.如权利要求2所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层中具有多个空隙，所述空隙从所述石墨烯层的厚度方向贯穿所述石墨烯层。

5.如权利要求4所述的外延结构体，其特征在于，所述空隙的形状为圆形、方形、三角形、菱形或矩形。

6.如权利要求4所述的外延结构体，其特征在于，所述空隙的尺寸为10纳米至10微米，所述石墨烯的占空比为1：4至4：1。

7.如权利要求4所述的外延结构体，其特征在于，所述外延层贯穿所述石墨烯层中的空隙与所述基底相接触。

8.如权利要求4所述的外延结构体，其特征在于，所述空隙为多个沿同一方向延伸的条形的间隙。

9.如权利要求8所述的外延结构体，其特征在于，所述凹陷为多个沿同一方向延伸的凹槽，所述凹槽的延伸方向与所述空隙的延伸方向平行或交叉。

10.如权利要求9所述的外延结构体，其特征在于，所述凹槽的延伸方向垂直于所述空隙的延伸方向。

11.如权利要求9所述的外延结构体，其特征在于，所述凹槽的宽度为1微米～50微米，深度为0.1微米～1微米，相邻凹槽之间的间距为1微米～20微米。

12.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层为多个间隔设置的图形，且相邻两个图形之间形成多个空隙。

13.如权利要求12所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层为多个间隔设置的条形石墨烯。

14.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，在所述外延层中具有多个孔洞，将所述石墨烯层包覆于该孔洞中。

15.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述外延层的材料与所述基底的材料相同。

16.如权利要求1所述的外延结构体，其特征在于，所述对应凹槽位置处的石墨烯层悬空设置。

17.一种外延结构体，所述外延结构体包括：

一基底，所述基底一表面具有多个微米级的凹陷，形成一图案化的表面；

一石墨烯层，所述石墨烯层设置于所述图案化的表面，所述石墨烯层具有多个空隙，所述石墨烯层的起伏趋势与图案化的表面的起伏趋势相同；以及

一外延层，所述外延层形成于所述基底图案化的表面，所述石墨烯层位于所述外延层与所述基底之间。

18.如权利要求17所述的外延结构体，其特征在于，所述外延层靠近基底的表面与所述图案化的表面耦合。

19.如权利要求17所述的外延结构体，其特征在于，所述石墨烯层为分散的石墨烯粉末。

20.一种外延结构体，其包括：一基底，该基底具有一图案化的外延生长面，以及一外延层形成于所述图案化的外延生长面，其特征在于，进一步包括一图案化的单层石墨烯薄膜设置于所述外延层与基底之间，且该图案化的单层石墨烯薄膜具有多个空隙，所述外延层贯穿石墨烯层的多个空隙与所述基底的外延生长面接触。