[发明专利]栅极驱动电路及显示器有效

专利信息
申请号: 201210119278.1 申请日: 2012-04-20
公开(公告)号: CN102682699B 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 孙阳 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗建民;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 栅极 驱动 电路 显示器
【说明书】:

技术领域

发明属于显示器领域,具体涉及一种用于显示器的栅极驱动 电路及显示器。

背景技术

栅极驱动IC安装在阵列基板上(Gate-Driver on Array,以下简 称GOA)工艺是将显示器的栅极驱动电路通过阵列工艺制作在玻璃 基板上,以对显示区域进行扫描驱动。

与传统的将IC芯片固定于柔性电路板(Chip on Film,以下简 称COF)工艺和芯片直接固定在玻璃上(Chip on Glass,以下简称 COG)工艺相比,GOA工艺具有以下优点:

其一,可以降低栅极驱动电路的制造成本;

其二,由于省去了栅极集成电路(Gate IC)的邦线区域和扇出 (Fan-out)布线空间,因此可以实现窄边框的设计,而且可以使面 板(Panel)对称设计,从而可以使面板的外形更加美观;

其三,由于省去了栅极(Gate)方向的绑定(Bonding)工艺, 因此可以提高显示器的产能和产品的良率。

但是,在实际应用中,采用GOA工艺制作的栅极驱动电路存在 以下问题:

其一,由于非晶硅(a-Si)长期在阈值电压漂移(Vth shift)的 工况下工作,降低了栅极驱动电路的使用寿命;

其二,由于a-Si的迁移率较低,为了满足电路中某些TFT较高 开态电流(Ion)的要求,需要增大TFT的沟道宽度,这不仅增加了 栅极驱动电路的空间,而且增加了栅极驱动电路的功耗。

发明内容

本发明要解决的技术问题就是针对现有技术中存在的上述缺陷, 提供一种栅极驱动电路及显示器,其不仅功耗低,而且使用寿命长。

解决上述技术问题的所采用的技术方案是提供一种栅极驱动电 路,包括多个级联的移位寄存器,所述移位寄存器包括:

信号输入电路,所述信号输入电路用于接收前一移位寄存器的 输出信号,并使所述信号输出电路导通;

信号输出电路,所述信号输出电路用于接收来自外部电路的第 一时钟信号,所述信号输出电路的输出端为所述移位寄存器的输出 端;在所述信号输出电路导通后其输出端输出扫描信号;

上拉电路,所述上拉电路用于拉高所述信号输出电路的导通电 压;

复位电路,所述复位电路用于使所述信号输出电路的导通电压 以及所述信号输出电路输出的所述扫描信号复位;

下拉电路,所述下拉电路用于拉低所述信号输出电路的导通电 压以及拉低所述信号输出电路输出的所述扫描信号;

所述信号输入电路、所述信号输出电路、所述上拉电路以及所 述复位电路交汇形成第一节点PU,所述下拉电路的控制端为第二节 点PD,而且,在第N+1行所述移位寄存器输出扫描信号时,第N行 所述移位寄存器的第二节点PD为高电平;

在两个相邻的所述移位寄存器之间还设有辅助晶体管,所述辅 助晶体管的栅极与第N行所述移位寄存器的第二节点PD连接,所述 辅助晶体管的源极与第N+1行所述移位寄存器的所述第一节点PU连 接,所述辅助晶体管的漏极与第N+1行所述移位寄存器的所述信号输 出电路连接。

其中,所述复位电路包括第二晶体管和第四晶体管,其中,

所述第二晶体管用于拉低所述信号输出电路的导通电压,所述 第二晶体管的源极与外部电路的低电平信号连接,所述第二晶体管的 漏极连接至所述第一节点PU,所述第二晶体管的栅极接收来自外部 电路的复位信号,并使所述第二晶体管的漏极和源极导通;

所述第四晶体管用于将所述扫描信号拉低,所述第四晶体管的 源极与外部电路的低电平信号连接,所述第四晶体管的漏极与所述信 号输出电路连接,所述第四晶体管的栅极接收来自外部电路的复位信 号,并使所述第四晶体管的漏极和源极导通。

其中,所述下拉电路包括第十晶体管和第十一晶体管,其中, 所述第十晶体管用于拉低所述信号输出电路的导通电压,所述第十晶 体管的源极与外部电路的低电平信号连接,所述第十晶体管的漏极连 接至所述第一节点PU,所述第十晶体管的栅极连接至所述第二节点 PD;

所述第十一晶体管的栅极连接至第二节点PD,所述第十一晶体 管的源极与外部电路的低电平信号连接,所述第十一晶体管的漏极与 所述信号输出电路连接。

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