[发明专利]对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法有效
| 申请号： | 201210116937.6 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102664142A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 韩晓霞 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 现有 版图 填充 冗余 多晶 阵列 插入 方法 | ||
1.一种对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法，其特征在于，包括步骤：
(1)提取标准单元的位置信息；所述的标准单元的位置信息即标准单元在版图中的相对位置坐标X和Y；
(2)基于提取的位置信息，对标准单元位置进行排序；
(3)判断相邻的标准单元是否存在间距；
(4)若存在间距，则在该相邻的两个标准单元相对的边界处分别插入冗余多晶硅条阵列；
若不存在间距，则该相邻的两个标准单元的边界间共享地插入冗余多晶硅条阵列；
(5)对插入冗余多晶硅条阵列后的版图进行版图设计规则和版图与原理图的一致性检查。
2.如权利要求1所述对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的对标准单元位置进行排序，包括步骤：
将Y坐标值相同的标准单元排列于同一行内；以及，
对同一行内的标准单元根据X坐标值的大小进行排序。
3.如权利要求1所述对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法，其特征在于，步骤(3)中，所述判断相邻的标准单元是否存在间距基于如下方式：相邻标准单元的X坐标值差等于左边标准单元的宽度，表示两相邻标准单元间不存在间距；若相邻标准单元的X坐标值差大于左边标准单元的宽度，表示两相邻标准单元间存在间距。
4.如权利要求1所述对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法，其特征在于，还包括步骤：设定所述冗余多晶硅条阵列的硅条宽度、所包含的硅条条数以及硅条的间距。
5.如权利要求4所述对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法，其特征在于，所述冗余多晶硅条阵列的硅条宽度小于版图设计规则所要求的多晶硅最小线宽。
6.如权利要求5所述对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法，其特征在于，所述冗余多晶硅条阵列的硅条宽度大体为版图设计规则所要求的多晶硅最小线宽的十分之一。
7.如权利要求4所述对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法，其特征在于，所述冗余多晶硅条阵列的硅条的间距大体为冗余多晶硅条阵列的硅条宽度。
8.如权利要求4～7之一所述对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法，其特征在于，所述冗余多晶硅条阵列的插入位置应满足版图设计规则要求的多晶硅与有源区的最小间距。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
