[发明专利]包括零磁性层的叠层在审
| 申请号： | 201210116121.3 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102682789A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | J-Y·金;T·P·诺兰;K·康;S·王;V·D·恩古耶;A·海卢;C·C·陈 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/851 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 磁性 | ||
1.一种叠层，包括：
晶体取向夹层；
位于所述夹层上的零磁性层，所述零磁性层是非磁性的或者具有小于约100emu/cc的饱和磁通密度(Bs)并且包括由非磁性隔离物间隔的颗粒；以及
位于所述零磁性层上的磁性层，所述磁性层包括由非磁性隔离物间隔的铁磁颗粒，其中所述夹层和所述磁性层之间的晶格失配小于约4％。
2.如权利要求1的叠层，其特征在于，所述晶体取向夹层和所述磁性层的晶体摇摆曲线半高宽(FWHM)之差小于约0.35度。
3.如权利要求1的叠层，其特征在于，所述零磁性层包括与所述磁性层相同但比例不同的元素。
4.如权利要求1的叠层，其特征在于，所述零磁性层的厚度小于约。
5.如权利要求1的叠层，其特征在于，所述磁性层包括邻近所述零磁性层的第一磁性层以及由交换断层与所述第一磁性层隔开的第二磁性层。
6.如权利要求1的叠层，其特征在于，所述零磁性层的颗粒是具有HCP晶体结构和(0001)生长方向的柱状颗粒。
7.如权利要求1的叠层，其特征在于，所述零磁性层包括Pt和Ru中的一种或多种。
8.一种制造叠层的方法，包括：
沉积晶体取向夹层；
在所述晶体取向夹层上沉积零磁性层，所述零磁性层是非磁性的或者具有小于约100emu/cc的饱和磁通密度(Bs)并且包括由非磁性隔离物间隔的颗粒；以及
在所述零磁性层上沉积磁性层，所述磁性层包括由非磁性隔离物间隔的铁磁颗粒，其中所述夹层和所述磁性层之间的晶格失配小于约4％。
9.如权利要求8的方法，其特征在于，：
沉积所述零磁性层包括沉积包括由含氧化物的隔离物间隔的CoCr以及Pt和Ru中的一种或多种的颗粒；以及
沉积所述磁性层包括沉积包括由含氧化物的隔离物间隔的Co合金的颗粒，其中所述零磁性层包括比所述磁性层高的氧化物体积百分比。
10.如权利要求8的方法，其特征在于，沉积所述晶体取向夹层包括以低于约80mTorr的压强进行溅射。
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