[发明专利]一种铁皮石斛的原生态栽培方法有效
申请号: | 201210113342.5 | 申请日: | 2012-04-18 |
公开(公告)号: | CN102613056A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 斯金平;朱玉球;张新凤;诸燕 | 申请(专利权)人: | 浙江农林大学 |
主分类号: | A01G31/00 | 分类号: | A01G31/00 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所 33213 | 代理人: | 吴秉中 |
地址: | 311300 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铁皮 石斛 生态 栽培 方法 | ||
技术领域
本发明属于生物资源培育技术领域,具体涉及一种铁皮石斛的原生态栽培方法。
背景技术
铁皮石斛千年以来它一直和灵芝、人参、冬虫夏草等一样被列为上品中药。石斛为兰科石斛属植物,全世界兰科约有500属,15000多种;石斛属是兰科中最大的属之一。中国兰科约有150属,1000种,主要分布于秦岭和长江流域以南省区;石斛属植物大多数种类都集中分布在北纬15°30′~25°12′之间,且越向北延而种类则逐渐减少。中国铁皮石斛主要分布于浙江、广西、湖南、贵州等地。
铁皮石斛生长于悬崖峭壁之阴处,古人常悬索崖壁或射箭采集。铁皮石斛常年受天地之灵气,吸日月之精华,作为养生极品,自古以来深受皇宫贵族的青睐。但由于它生长条件十分苛刻,自然产量极为稀少,更因民间长期过度采挖,致使野生资源濒临绝种。在国际市场上,铁皮石斛被加工成一种叫“龙头凤尾”的中药,每千克售价3000美元左右,是世界上最昂贵的草。野生的铁皮石斛一般生长在海拔100-3000米高度之间,常附生于树上或岩石上,喜温暖。湿润和半阴环境,不耐寒。生长适温18~30℃,生长期以16~21℃更为合适,休眠期16~18℃,晚间温度为10~13℃,温差保持在10~15℃最佳。白天温度超过30℃对石斛生长影响不大,冬季温度不低于10℃。幼苗在10℃以下容易受冻。野生铁皮的自然繁殖能力低、生长缓慢,目前已禁止采摘。
虽然铁皮石斛的药性功能冠盖石斛之首,但目前市场上流通的铁皮石斛,基本都为人工栽培品种。由于铁皮石斛生长环境的苛刻性,人工栽培铁皮石斛必须攻克品种稳定的技术难关,防止铁皮品种的退化。因此目前人工栽培的铁皮石斛一般分为两种,一种是在铁皮的源产地,也就是中医药讲究的“地道”产地,如浙江、云南等地,依靠天然的适宜环境,以大棚的形式种栽,其产量、品质都较易受当地环境限制。另一种则是通过仿野生模拟的方式,利用一系列的设施设备模拟最适宜铁皮石斛生长的基质、温度、光照、空气质量、湿度等环境条件,形成专业独特的“小气候”,再通过现代农业管理手段控制病虫害,来确保铁皮石斛的品种和品质的稳定。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题,本发明的目的在于设计提供一种铁皮石斛的原生态栽培方法的技术方案,以自然生长的森林环境作为载体,选择优质高效的栽培基质,利用森林环境中枝叶的适当遮荫效果,形成有利于铁皮石斛生长环境的一种种植方法。选取的栽培基质根据铁皮石斛生物特性既有良好的保水性又有通风透气性,规模化生产时原料易得、操作方便。
所述的一种铁皮石斛的原生态栽培方法,其特征在于采用以下方法进行栽培:
选择自然生长的森林环境下,利用其枝叶的遮荫效果,自然遮荫度在 70%~80%,光照为漫射光或散射光,光照强度在 3000~5000lux,将定植用的小苗或炼苗一年以上的苗木取出,洗去培养基,按3-5株1丛,丛距8-12×18-22cm,将石斛的根部放在栽培基质上,然后用基质盖住根部至不见根后,采用自动或人工方式浇足水,保证铁皮石斛栽培场所空气湿度在80-95%,温度在19-33℃,种植后每天喷雾1-2次水,每次浇透为止;
所述的栽培基质由重量含量的以下物质组成:25-35%树皮或木屑粉碎物、35-45%碎石、28-37%有机肥,所述的有机肥为腐植酸有机肥或动物粪便。
所述的一种铁皮石斛的原生态栽培方法,其特征在于树皮或木屑粉碎物的含量为26-32%,优选28-30%;碎石的含量为36-42%,优选38-40%;有机肥的含量为30-35%,优选32-34%。
所述的一种铁皮石斛的原生态栽培方法,其特征在于所述的树皮或木屑粉碎物为2-3cm粉碎颗粒,所述的树皮为松树皮。
所述的一种铁皮石斛的原生态栽培方法,其特征在于自然遮荫度为 75%~78%。
所述的一种铁皮石斛的原生态栽培方法,其特征在于光照强度为3500~4500lux,优选为3700~4000lux。
所述的一种铁皮石斛的原生态栽培方法,其特征在于定植用的苗木按丛距9-11×19-20cm栽培。
所述的一种铁皮石斛的原生态栽培方法,其特征在于栽培场所空气湿度为82-92%,优选85-90%。
所述的一种铁皮石斛的原生态栽培方法,其特征在于栽培场所温度为20-30℃,优选23-26℃。
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