[发明专利]一种增强隧道穿透场效应晶体管

权利要求书

1.一种增强隧道穿透场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成衬底，并在所述衬底之上依次形成栅介质层和第二栅电极层；

在所述第二栅电极层及部分所述栅介质层之上保形地淀积并形成第一栅电极层；

刻蚀所述第一栅电极层，以在所述第二栅电极层两侧分别形成第一栅电极；

在所述第一栅电极层的两侧分别形成第一侧墙；

在所述衬底中分别形成源区和漏区，并去除所述第一侧墙；

去除所述第二栅电极层一侧的一个第一栅电极，并保留所述第二栅电极与保留的第一栅电极之下的栅介质层；

在所述栅介质层的两侧形成包围所述第二栅电极和保留的第一栅电极的第二侧墙；

形成达到源区和漏区表面的欧姆接触层，沉积中间介质层并进行平坦化；以及

去除所述第二侧墙，并再次衬底中间介质层以将去除所述第二侧墙之后形成的缺口密封以形成真空或空气侧墙。

2.如权利要求1所述的增强隧道穿透场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一栅侧墙为Si₃N₄或SiO₂，所述第二栅侧墙为Si₃N₄。

3.如权利要求1或2所述的增强隧道穿透场效应晶体管的形成方法，其特征在于，

利用高选择比的湿法或干法工艺将所述第二栅侧墙去除。

4.如权利要求1-3任一项所述的增强隧道穿透场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：

形成所述源区和漏区之上的欧姆接触层。