[发明专利]MWT结构太阳能电池组件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210111065.4 申请日: 2012-04-16
公开(公告)号: CN102623574A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 王建明;李高非;赵文超;王子谦;陈剑辉;沈燕龙;陈迎乐;胡志岩;熊景峰 申请(专利权)人: 英利能源(中国)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/048
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 魏晓波
地址: 071051 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: mwt 结构 太阳能电池 组件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种MWT结构太阳能电池组件的制造方法,用于对硅片加工并最终制成太阳能电池组件,其特征在于,包括步骤:

1)将所述硅片分别经清洗工艺、制绒工艺、吸杂工艺、扩散工艺、玻璃去除工艺、钝化和减反射薄膜沉积工艺、金属化工艺制成太阳能电池;

2)在所述太阳能电池的正面电极上的第一指定位置制备贯穿所述太阳能电池厚度方向的电极引出孔,获得打孔后的太阳能电池;

3)在背板上与所述第一指定位置对应的第二指定位置铺设导电胶,获得铺胶后的背板;

4)将打孔后的太阳能电池铺设在铺胶后的背板上,所述第一指定位置和所述第二指定位置相对,将导电胶注入太阳能电池的电极引出孔中,导电胶与太阳能电池的正面电极导通,获得铺设有太阳能电池的背板;

5)对铺设有太阳能电池的背板进行层压等工序,获得具有MWT结构太阳能电池组件。

2.根据权利要求1所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述步骤2)设置于所述扩散工艺和所述玻璃去除工艺之间或者设置于所述钝化和减反射薄膜沉积工艺与所述金属化工艺之间。

3.根据权利要求1所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述硅片的基材为多晶硅、P型提拉法单晶硅、P型区熔法单晶硅、N型提拉法单晶硅或者N型区熔法单晶硅。

4.根据权利要求1所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述扩散工艺为磷扩散工艺或者硼扩散工艺或者磷扩散工艺和硼扩散工艺的组合。

5.根据权利要求1所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述钝化和减反射薄膜沉积工艺中所形成的薄膜为氮化硅膜、二氧化硅膜或氧化铝膜。

6.根据权利要求5所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述薄膜由化学气相沉积法或原子层沉积法或电子束沉积法或磁控溅射沉积法或氧化法获得。

7.根据权利要求5所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述薄膜为所述氮化硅膜、所述二氧化硅膜或所述氧化铝膜中的任意一种薄膜或任意多种薄膜重叠后形成。

8.根据权利要求1所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述背板为导电背板。

9.根据权利要求1所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述导电胶通过挤压法或加热法注入太阳能电池的电极引出孔。

10.一种MWT结构太阳能电池组件,包括背板和设置于所述背板上的太阳能电池,其特征在于,所述MWT结构太阳能电池组件通过如权利要求1-9任意一项所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法制备获得。

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