[发明专利]MWT结构太阳能电池组件及其制造方法无效
申请号: | 201210111065.4 | 申请日: | 2012-04-16 |
公开(公告)号: | CN102623574A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 王建明;李高非;赵文超;王子谦;陈剑辉;沈燕龙;陈迎乐;胡志岩;熊景峰 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/048 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mwt 结构 太阳能电池 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种MWT结构太阳能电池组件的制造方法,用于对硅片加工并最终制成太阳能电池组件,其特征在于,包括步骤:
1)将所述硅片分别经清洗工艺、制绒工艺、吸杂工艺、扩散工艺、玻璃去除工艺、钝化和减反射薄膜沉积工艺、金属化工艺制成太阳能电池;
2)在所述太阳能电池的正面电极上的第一指定位置制备贯穿所述太阳能电池厚度方向的电极引出孔,获得打孔后的太阳能电池;
3)在背板上与所述第一指定位置对应的第二指定位置铺设导电胶,获得铺胶后的背板;
4)将打孔后的太阳能电池铺设在铺胶后的背板上,所述第一指定位置和所述第二指定位置相对,将导电胶注入太阳能电池的电极引出孔中,导电胶与太阳能电池的正面电极导通,获得铺设有太阳能电池的背板;
5)对铺设有太阳能电池的背板进行层压等工序,获得具有MWT结构太阳能电池组件。
2.根据权利要求1所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述步骤2)设置于所述扩散工艺和所述玻璃去除工艺之间或者设置于所述钝化和减反射薄膜沉积工艺与所述金属化工艺之间。
3.根据权利要求1所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述硅片的基材为多晶硅、P型提拉法单晶硅、P型区熔法单晶硅、N型提拉法单晶硅或者N型区熔法单晶硅。
4.根据权利要求1所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述扩散工艺为磷扩散工艺或者硼扩散工艺或者磷扩散工艺和硼扩散工艺的组合。
5.根据权利要求1所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述钝化和减反射薄膜沉积工艺中所形成的薄膜为氮化硅膜、二氧化硅膜或氧化铝膜。
6.根据权利要求5所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述薄膜由化学气相沉积法或原子层沉积法或电子束沉积法或磁控溅射沉积法或氧化法获得。
7.根据权利要求5所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述薄膜为所述氮化硅膜、所述二氧化硅膜或所述氧化铝膜中的任意一种薄膜或任意多种薄膜重叠后形成。
8.根据权利要求1所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述背板为导电背板。
9.根据权利要求1所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,所述导电胶通过挤压法或加热法注入太阳能电池的电极引出孔。
10.一种MWT结构太阳能电池组件,包括背板和设置于所述背板上的太阳能电池,其特征在于,所述MWT结构太阳能电池组件通过如权利要求1-9任意一项所述的MWT结构太阳能电池组件的制造方法制备获得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的