[发明专利]发光元件驱动电路及像素电路

说明书

技术领域

本发明是有关于一种平面显示技术，且特别是有关于一种具有自发光特性的发光元件驱动电路及像素电路。

背景技术

由于多媒体社会的急速进步，半导体元件及显示装置的技术也随之具有飞跃性的进步。就显示器而言，由于主动式矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示器具有无视角限制、低制造成本、高应答速度(约为液晶的百倍以上)、省电、自发光、可用于可携式机器的直流驱动、工作温度范围大以及重量轻且可随硬件设备小型化及薄型化等等优点以符合多媒体时代显示器的特性要求。因此，主动式矩阵有机发光二极管显示器具有极大的发展潜力，可望成为下一代的新型平面显示器，从而取代液晶显示器(liquid crystal display，LCD)。

目前主动式矩阵有机发光二极管显示面板主要有两种制作方式，其一是利用低温多晶硅(LTPS)的薄膜晶体管(TFT)工艺技术来制作，而另一则是利用非晶硅(α-Si)的薄膜晶体管(TFT)工艺技术来制作。其中，由于低温多晶硅的薄膜晶体管工艺技术需要比较多道的掩模制造工艺而导致成本上升。因此，目前低温多晶硅的薄膜晶体管工艺技术主要应用在中小尺寸的面板上，而非晶硅的薄膜晶体管工艺技术则主要应用在大尺寸的面板上。

一般来说，采用低温多晶硅的薄膜晶体管工艺技术所制作出来的主动式矩阵有机发光二极管显示面板，其像素电路中的薄膜晶体管的型态可以为P型或N型，但无论是选择P型还是N型薄膜晶体管来实现有机发光二极管像素电路，流经有机发光二极管的电流不仅会随着有机发光二极管的导通电压(Voled_th)经长时间应力(long time stress)的变化而改变，而且还会随着用以驱动有机发光二极管的薄膜晶体管的临限电压漂移(Vth shft)而有所不同。如此一来，将会连带影响到有机发光二极管显示器的亮度均匀性(brightness uniformity)与亮度恒定性(brightness constancy)。

发明内容

有鉴于此，为有效地解决/改善现有技术所述及的问题(即，提升有机发光二极管显示器的亮度均匀性与亮度恒定性)，本发明的一示范性实施例提供一种发光元件驱动电路，其包括：驱动单元与数据储存单元。驱动单元耦接在一预设电位与发光元件(例如：有机发光二极管，但并不限制于此)之间，且包含驱动晶体管，用以在一发光阶段控制流经发光元件的一驱动电流。数据储存单元包含直接耦接至传导所述驱动电流的传导路径的储存电容，用以在一数据写入阶段，通过储存电容以对一数据电压、关联于驱动晶体管的临界电压以及关联于发光元件的导通电压进行储存。在所述发光阶段，驱动单元反应于储存电容的跨压而产生流经发光元件的所述驱动电流，且所述驱动电流不受驱动晶体管的临界电压以及发光元件的导通电压的影响。

在本发明的一示范性实施例中，在所述预设电位为一接地电位的条件下，驱动单元还包括：发光控制晶体管，其栅极用以接收一发光信号，其源极耦接至所述接地电位，而其漏极则耦接驱动晶体管的源极与储存电容的第一端。另外，驱动晶体管的漏极耦接有机发光二极管的阴极，而有机发光二极管的阳极则耦接至一电源电压。

在本发明的一示范性实施例中，在所述预设电位为所述接地电位的条件下，数据储存单元可以还包括：写入晶体管、采集晶体管，以及转换晶体管。写入晶体管的栅极用以接收一扫描信号，写入晶体管的漏极用以接收所述数据电压，而写入晶体管的源极则耦接储存电容的第二端。采集晶体管的栅极用以接收所述扫描信号，采集晶体管的源极耦接驱动晶体管的栅极，而采集晶体管的漏极则耦接驱动晶体管的漏极与有机发光二极管的阴极。转换晶体管的栅极用以接收所述发光信号，转换晶体管的源极耦接驱动晶体管的栅极与采集晶体管的源极，而转换晶体管的漏极则耦接写入晶体管的源极与储存电容的第二端。

在本发明的一示范性实施例中，在所述预设电位为所述接地电位的条件下，有机发光二极管驱动电路会先后进入所述数据写入阶段与所述发光阶段。

在本发明的一示范性实施例中，在所述预设电位为所述接地电位的条件下，驱动晶体管、发光控制晶体管、写入晶体管、采集晶体管，以及转换晶体管皆为N型晶体管。

在本发明的一示范性实施例中，在所述预设电位为所述接地电位的条件下，在所述数据写入阶段，仅所述扫描信号致能；以及在所述发光阶段，仅所述发光信号致能。