[发明专利]发光元件驱动电路及像素电路无效
申请号: | 201210104074.0 | 申请日: | 2012-04-10 |
公开(公告)号: | CN103366672A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 廖文堆;张贝源;曾英璟;尹静文 | 申请(专利权)人: | 东莞万士达液晶显示器有限公司;胜华科技股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 523119 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 驱动 电路 像素 | ||
1.一种发光元件驱动电路,包括:
一驱动单元,耦接在一预设电位与一发光元件之间,且包含一驱动晶体管,用以在一发光阶段控制流经该发光元件的一驱动电流;以及
一数据储存单元,包含直接耦接至传导该驱动电流的一传导路径的一储存电容,用以在一数据写入阶段,通过该储存电容以对一数据电压、关联于该驱动晶体管的一临界电压以及关联于该发光元件的一导通电压进行储存,
其中,在该发光阶段,该驱动单元反应于该储存电容的跨压而产生流经该发光元件的该驱动电流,且该驱动电流不受该驱动晶体管的该临界电压以及该发光元件的该导通电压的影响。
2.根据权利要求1所述的发光元件驱动电路,其中该预设电位为一接地电位,且该发光元件为一有机发光二极管,而该驱动单元还包括:
一发光控制晶体管,其栅极用以接收一发光信号,其源极耦接至该接地电位,而其漏极则耦接该驱动晶体管的源极与该储存电容的第一端,
其中,该驱动晶体管的漏极耦接该有机发光二极管的阴极,而该有机发光二极管的阳极则耦接至一电源电压。
3.根据权利要求2所述的发光元件驱动电路,其中该数据储存单元还包括:
一写入晶体管,其栅极用以接收一扫描信号,其漏极用以接收该数据电压,而其源极则耦接该储存电容的第二端;
一采集晶体管,其栅极用以接收该扫描信号,其源极耦接该驱动晶体管的栅极,而其漏极则耦接该驱动晶体管的漏极与该有机发光二极管的阴极;以及
一转换晶体管,其栅极用以接收该发光信号,其源极耦接该驱动晶体管的栅极与该采集晶体管的源极,而其漏极则耦接该写入晶体管的源极与该储存电容的第二端,
其中,该发光元件驱动电路为一有机发光二极管驱动电路。
4.根据权利要求3所述的发光元件驱动电路,其中
该有机发光二极管驱动电路先后进入该数据写入阶段与该发光阶段;
该驱动晶体管、该发光控制晶体管、该写入晶体管、该采集晶体管,以及该转换晶体管皆为N型晶体管;
在该数据写入阶段,仅该扫描信号致能;以及
在该发光阶段,仅该发光信号致能。
5.根据权利要求4所述的发光元件驱动电路,其中该电源电压为一固定电源电压。
6.根据权利要求4所述的发光元件驱动电路,其中该电源电压为一可变电源电压。
7.根据权利要求6所述的发光元件驱动电路,其中
该电源电压仅在该数据写入阶段从一高电平电压改变至一设定电压,且该设定电压低于该高电平电压;以及
该设定电压根据该驱动晶体管的该临界电压与该有机发光二极管的该导通电压而决定。
8.根据权利要求1所述的发光元件驱动电路,其中该预设电位为一电源电压,且该发光元件为一有机发光二极管,而该驱动单元还包括:
一发光控制晶体管,其栅极用以接收一发光信号,其源极耦接至该电源电压,而其漏极则耦接该驱动晶体管的源极与该储存电容的第一端,
其中,该驱动晶体管的漏极耦接该有机发光二极管的阳极,而该有机发光二极管的阴极则耦接至一接地电位。
9.根据权利要求8所述的发光元件驱动电路,其中该数据储存单元还包括:
一写入晶体管,其栅极用以接收一扫描信号,其源极用以接收该数据电压,而其漏极则耦接该储存电容的第二端;
一采集晶体管,其栅极用以接收该扫描信号,其漏极耦接该驱动晶体管的栅极,而其源极则耦接该驱动晶体管的漏极与该有机发光二极管的阳极;以及
一转换晶体管,其栅极用以接收该发光信号,其漏极耦接该驱动晶体管的栅极与该采集晶体管的漏极,而其源极则耦接该写入晶体管的漏极与该储存电容的第二端,
其中,该发光元件驱动电路为一有机发光二极管驱动电路。
10.根据权利要求9所述的发光元件驱动电路,其中该储存电容反应于该电源电压与该数据电压而在一重置阶段进行重置。
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