[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隔离层；

形成贯穿所述隔离层、且一端位于半导体衬底内的鳍部，所述鳍部表面高于隔离层表面；

形成位于所述隔离层表面、且横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构；

形成位于所述栅极结构侧壁和鳍部侧壁的伪侧墙；

形成位于所述伪侧墙表面、且包裹所述鳍部的外延层；

在形成所述外延层后去除所述伪侧墙。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述伪侧墙的形成步骤包括：形成覆盖所述隔离层、鳍部和栅极结构的伪侧墙薄膜；

去除位于所述隔离层表面、鳍部顶部的伪侧墙薄膜。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述伪侧墙薄膜的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述位于鳍部侧壁的伪侧墙的高度与高于隔离层表面部分的鳍部的高度比小于等于1∶3。

5.如权利要求4所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述位于鳍部侧壁的伪侧墙的高度与高于隔离层表面部分的鳍部的高度比大于等于1∶5。

6.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述位于鳍部侧壁的伪侧墙的高度为10-30nm。

7.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述位于鳍部侧壁的伪侧墙的厚度为3-10nm。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述外延层的材料为SiGe、SiC、SiN或SiP。

9.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述外延层的形成工艺为选择性外延沉积工艺。

10.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：在形成伪侧墙前，在所述栅极结构两侧的鳍部内掺杂形成源/漏区。

11.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述外延层、隔离层以及栅极结构的可流动绝缘层。

12.如权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述可流动绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅。

13.如权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：对所述可流动绝缘层进行回流处理，使位于所述外延层和栅极结构表面的部分可流动绝缘层回流至相邻两个鳍部间的隔离层表面。

14.如权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述可流动绝缘层的形成步骤包括：形成覆盖所述外延层、隔离层以及栅极结构的可流动薄膜；对所述可流动薄膜进行氧化或氮化处理。

15.如权利要求14所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述可流动薄膜的材料为硼磷硅玻璃、硼硅玻璃、磷硅玻璃、聚乙烯氧化硅、聚乙烯氮化硅或正硅酸乙酯。

16.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述外延层、隔离层以及栅极结构的应力层。

17.如权利要求16所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料与所述外延层的材料相同，为SiGe、SiC、SiN或SiP。

18.如权利要求16所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述应力层的形成工艺为原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺、低压化学气相沉积工艺或等离子体化学气相沉积工艺。

19.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

20.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的形成步骤包括：形成覆盖所述鳍部和隔离层的栅介质薄膜；形成覆盖所述栅介质薄膜的栅电极薄膜；形成覆盖所述栅电极薄膜的硬掩膜层，所述硬掩膜层定义出栅极的形状、位置和大小；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅电极薄膜和栅介质薄膜，形成栅极；形成位于所述栅极侧壁的侧墙。