[发明专利]测量PCB层间偏移量的方法和PCB在制板有效

专利信息
申请号: 201210097641.4 申请日: 2012-03-31
公开(公告)号: CN103363885A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 陈臣;陈文德 申请(专利权)人: 北大方正集团有限公司;珠海方正科技高密电子有限公司
主分类号: G01B7/02 分类号: G01B7/02;H05K1/11
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐
地址: 100871 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 测量 pcb 偏移 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电路板PCB的检测领域,具体而言,涉及一种测量PCB层间偏移量的方法和PCB在制板。

背景技术

多层的PCB在生产制造过程中,将多张覆盖有铜箔的绝缘板压合在一起,构成PCB的多层结构。各层之间通过绝缘板的金属孔壁实现电连通。

多层PCB在压合过程中,在压力作用下,各层之间会出现位置偏移。这些位置偏移如果较大,会降低PCB各层之间的电连通性,甚至出现各层之间断路或短路,产生PCB次品。因此,需要经常检测压合后的PCB的层间偏移量,将偏移量控制在阈值范围内。

相关的技术检测层间偏移量的方式采用纵向切片的方式,将多层的PCB上钻孔,以探针测量分析其对准度,并需要检验人员制作切片及肉眼判断,由于存在检验人员的主观判断性,会存在误判的情况。

在调整PCB压合的精度时,需要参考PCB相邻两层之间的偏移量进行调整。上述的检测方式存在无法检测出相邻两层之间的偏移量的问题。

发明内容

本发明旨在提供一种测量PCB层间偏移量的方法和PCB在制板,以解决上述技术无法检测出相邻两层之间的偏移量的问题。

本发明的实施例提供一种测量PCB层间偏移量的方法,包括:在PCB在制板的底层的金属层上形成基准窗口,所述基准窗口为一组孔径成等差递增的圆孔;在所述金属层上交替压合介质层和金属层;

在压合的当前金属层上形成量测图形和所述基准窗口,所述量测图形为一组圆环,其内径等于所述底层的金属层的基准窗口的最小孔径、数量等于相邻金属层的基准窗口的数量与量测图形的数量之和、且中心与相邻金属层的基准窗口的中心及量测图形的中心对齐;

在各个介质层上形成贯穿的金属量测孔,所述量测孔的内径等于所述最小孔径,所述量测孔位于所述介质层两侧的金属层上中心对齐的所述量测图形之间以及中心对齐的所述量测图形与所述基准窗口之间,所述量测孔电导通其两侧的所述量测图形;电导通孔径最小的基准窗口的外围金属与其对齐的所述量测图形。

本发明的实施例提供一种PCB在制板,包括:PCB在制板的底层的金属层上开设有基准窗口,所述基准窗口为一组孔径成等差递增的圆孔;在所述底层的金属层上具有交替压合介质层和金属层;

在每个压合的金属层上形成有量测图形和所述基准窗口,所述量测图形为一组圆环,其内径等于所述底层的金属层的基准窗口的最小孔径、数量等于相邻金属层的基准窗口的数量与量测图形的数量之和、且中心与相邻金属层的基准窗口的中心及量测图形的中心对齐;

在各个介质层上形成有贯穿的金属量测孔,所述量测孔的内径等于所述最小孔径,所述量测孔位于所述介质层两侧的金属层上中心对齐的所述量测图形之间以及中心对齐的所述量测图形与所述基准窗口之间,所述量测孔电导通其两侧的所述量测图形;电导通孔径最小的基准窗口的外围金属与其对齐的所述量测图形。

本发明的实施例还提供一种测量PCB层间偏移量的方法,在PCB在制板的底层的金属层上形成基准窗口,所述基准窗口为一组孔径成等差递增的圆孔;在所述金属层上交替压合介质层和金属层;

在压合的当前金属层上形成量测图形和所述基准窗口,所述量测图形为一组圆环,其内径小于所述底层的金属层的基准窗口的最小孔径、数量等于相邻金属层的基准窗口的数量与量测图形的数量之和、且中心与相邻金属层的基准窗口的中心及量测图形的中心对齐;

在各个介质层上形成贯穿的金属量测孔,所述量测孔的内径小于所述最小孔径,所述量测孔位于所述介质层两侧的金属层上中心对齐的所述量测图形之间以及中心对齐的所述量测图形与所述基准窗口之间,所述量测孔电导通其两侧的所述量测图形;电导通一侧其对齐的所述量测图形、与另一侧对齐的所述基准窗口断路;

在所述PCB的最外层的金属层,形成对应每个内层的检测图形,每个所述检测图形与对应的内层电导通、且形状为环形。

本发明的实施例还提供一种PCB在制板,包括:PCB在制板的底层的金属层上开设有基准窗口,所述基准窗口为一组孔径成等差递增的圆孔;在所述底层的金属层上具有交替压合介质层和金属层;

在压合的每个金属层上形成有量测图形和所述基准窗口,所述量测图形为一组圆环,其内径小于所述底层的金属层的基准窗口的最小孔径、数量等于相邻金属层的基准窗口的数量与量测图形的数量之和、且中心与相邻金属层的基准窗口的中心及量测图形的中心对齐;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;珠海方正科技高密电子有限公司,未经北大方正集团有限公司;珠海方正科技高密电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210097641.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top