[发明专利]促进铁皮石斛茎段增殖扩繁的改良培养基及增殖扩繁方法

权利要求书

1.一种促进铁皮石斛茎段增殖扩繁的改良培养基，其特征在于该培养基的组成为：MS基本培养基，蔗糖20g/l，琼脂6g/l，苄氨基嘌呤2mg/l，α-萘乙酸0.2～0.5mg/l，香蕉泥15～20g/l，土豆泥15～20g/l；pH5.6～5.8，该培养基由自来水定容。

2.根据权利要求1所述的促进铁皮石斛茎段增殖扩繁的改良培养基，其特征在于所述的香蕉泥和土豆泥分别为新鲜土豆和新鲜香蕉捣碎成泥。

3.一种利用权利要求1所述的培养基进行铁皮石斛增殖扩繁的方法，其特征在于取有腋芽的铁皮石斛茎段，在权利要求1所述的培养基中，在培养温度23～27℃、光照度1500～2000lx、光照时间12h/d条件下培养30～50天。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述的培养时间为30～35天。