[发明专利]一种嵌入蛇形平面电磁带隙结构及其构建方法有效

专利信息
申请号: 201210096504.9 申请日: 2012-04-01
公开(公告)号: CN102630127A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 阎照文;王彦盛;于文璐;曹晋 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: H05K1/16 分类号: H05K1/16;H05K3/46;H01P3/08
代理公司: 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 代理人: 王顺荣;唐爱华
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 嵌入 蛇形 平面 磁带 结构 及其 构建 方法
【权利要求书】:

1.一种嵌入蛇形平面电磁带隙结构,其特征在于:该结构是由一个EBG单元沿X、Y方向在二维平面上周期性延拓形成的3×3EBG结构,每个EBG单元由三层构成,自上而下依次是蚀刻成EBG形式的电源层、介质层和完整的地层,电源层、地层是厚度为1.2mi铜片,平面尺寸为30×30mm2,介质层是30×30×0.4mm3的矩形块,其材料是FR-4,介电常数为4.3,损耗角正切为0.02,电源层、地层都能蚀刻成EBG平面,EBG平面是中心对称的周期单元,它由一块中心金属贴片和四个连接两两单元的蛇形微带线构成,蛇形微带线是嵌在中心金属贴片内。

2.一种嵌入蛇形平面电磁带隙结构的构建方法,其特征在于:该方法具体步骤如下:

步骤一:在确定了使用5条臂的蛇形微带线的前提下,使用传输线法,在Agilent-ADS中建立EBG结构的电路模型,使用S参数仿真,扫描优化,大致确定平面EBG单元各参数的尺寸;

步骤二:在Ansoft-HFSS中建立一个EBG单元的三维模型,该模型由三层构成,自上而下依次是EBG电源层、介质层和完整的地层,电源层、地层均为平面,尺寸为30×30mm2,边界条件设置为理想金属导体,介质层是尺寸为30×30×0.4mm3的矩形块,材料为FR-4,其介电常数为4.3,损耗角正切为0.02;此外,基于步骤一得到的初步结果,设置单元EBG平面各参数的尺寸;

步骤三:在Ansoft-HFSS中建立平面EBG结构色散图仿真模型并绘制色散图,在步骤二中建立的EBG单元模型上建立一个尺寸为30×30×12mm3的长方体空气盒子,该盒子的下表面与EBG平面重合;紧挨着其上表面,建立一个厚度为2mm的理想匹配层,再建立一个30×30×14.4mm3的长方体空气壳子,使其上表面与PML层的上表面重合,下表面与EBG单元的地平面重合;将最外层空气盒子沿X和Y方向的两对侧面分别设置为主从边界条件即Master&Slave;设置相位为扫描参数,依照色散图原理,依次得到Г~X、X~M、M~Г三段色散图,将仿真结果导入MATLAB中绘制总色散图,观察得到的结果,并返回优化原来的设计,修改各参数尺寸,直到得到满意的结果,记录此时EBG结构各参数尺寸;

步骤四:在Ansoft-HFSS中建立3×3单元格的EBG结构模型,设置端口并仿真两端口间的传输系数S21;依照步骤三中得到的数据,修改步骤二中建立的EBG单元模型,再向X和Y方向延拓得3×3单元格的EBG结构模型;在设计过程中设置了两个端口,中心坐标分别在(0,0),(30,30);激励源选择集总端口即Lumped Port;在EBG结构之外设置一个大的空气盒子,该盒子的每个平面到EBG结构的距离都不能小于10mm,其边界条件设置为辐射边界条件即Radiation;频率扫描范围设置为40MHz~15GHz,EBG结构从500MHz到14.5GHz的范围内抑制深度达30dB以上;

步骤五:制做电路板,并用矢量网络分析仪测试该电路板实际抑制电源噪声的性能;制作的电路板由三层构成,自上而下依次是EBG电源层、介质层和完整的地层,电源层、地层均为平面,尺寸为90×90mm2;介质层是尺寸为90×90×0.4mm3矩形块,材料为FR-4,其介电常数为4.3,损耗角正切为0.02;单元EBG平面是中心对称图形,它的中心板形状规整,最大边沿尺寸29mm,桥是一条蜿蜒的微带线,微带线的宽度、臂与臂的间距、臂与中心板的间距、连臂与中心板的间距均为0.5mm,蛇形微带线的始末两端沿X方向的距离为8mm,依照步骤四中所述的端口位置,在电路板上打通孔,将SMA接头的底座焊接在EBG平面,SMA接头的探针焊接在地平面,务必不要让探针与EBG平面接触,以防短路,影响测试结果;使用VNA进行测试,扫描频率设置为40MHz~15GHz,测试结果直接由GPIB卡读出。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210096504.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top