[发明专利]电光学装置的控制装置、电光学装置以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201210092904.2 申请日: 2012-03-31
公开(公告)号: CN102737587A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 山田裕介 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G09G3/34 分类号: G09G3/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王亚爱
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光学 装置 控制 以及 电子设备
【说明书】:

技术领域

本发明涉及电光学装置的控制装置、电光学装置以及电子设备。

背景技术

作为显示图像的显示装置,存在使用微囊(microcapsule)的电泳方式的显示装置。在该显示装置中,有源矩阵(active matrix)方式的装置在向行方向延伸的多个行电极和向列方向延伸的多个列电极之间的每一个交点上设置有驱动微囊的驱动电路。向行电极和列电极施加电压后,在设置在驱动电路中的电极、和夹持微囊而与该电极对置的电极之间产生电位差。在夹持微囊而对置的电极间产生电位差后,微囊内的白粒子和黑粒子按照由该电位差生成的电场而移动。光学反射特性通过各微囊内的白粒子和黑粒子的分布的改变而发生变化,从而显示图像。

但是,在电泳方式的显示装置中,存在如下装置,即,在采用有源矩阵方式来变更显示时,跨多个帧来进行图像的重写。但是,在跨多个帧来进行图像的重写时,整个画面会开始重写,由于在直到写入结束为止的期间不进行新的写入,因此在进行图像的追加和删除时,一旦图像写入结束后才开始下一次写入,会花费时间,在操作性方面存在问题。

因此,为了解决这样的问题,提出有通过以部分区域为单位来进行流水线(pipeline)处理,从而来进行写入的方式(参照专利文献1)。根据专利文献1中公开的方式,在画面上相互不重合的2个部分区域中错开定时来写入图像的情况下,即使先开始写入的部分区域的写入没有完成,也能够开始从后面开始写入的部分区域的写入,与未采用这种方式的情况相比,显示速度得到提高。

专利文献

专利文献1:JP特开2009-251615号公报

在专利文献1中所公开的装置中,针对显示的图像,将图像数据写入对每个像素的数据进行存储的存储器中,读出写入的数据来显示图像。在显示装置变更图像时,虽然按照每个像素来访问存储器并变更图像,但是在显示装置中,随着像素数目变多,对存储器的访问次数随之变多,访问存储器时消耗的电力也变大。

发明内容

本发明鉴于上述问题而提出,其目的之一在于,在显示图像时,减少对存储器的访问次数,抑制消耗电力。

为了达成上述目的,本发明的电光学装置的控制装置具备包括多个像素的显示部,通过多次施加电压的写入动作来进行用于使上述像素的显示状态从第一显示状态变化为第二显示状态的写入,上述显示部具有多个区域,上述电光学装置的控制装置具备:写入区域判断部,其从按每个上述区域来存储表示是否需要对上述区域内的像素进行上述写入动作的访问标记的存储部中取得上述访问标记,并基于上述访问标记来判断是否对包含在与取得的上述访问标记对应的区域中的像素进行上述写入动作;写入状态判断部,其针对包含在上述写入区域判断部中判断为进行写入动作的区域中的像素,对写入存储器中的图像数据、和表示通过进行中的上述写入动作而显示在该显示部中的预定的图像的预定图像数据进行比较,在需要新的上述写入动作的情况下,对上述像素判断前一次的写入动作是否是进行中;写入控制部,其在上述写入状态判断部中判断为针对上述像素的上述写入动作不是进行中的情况下,对上述像素开始新的上述写入动作,在上述写入状态判断部中对上述像素判断为上述写入动作是进行中的情况下,继续进行中的上述写入动作,在进行中的上述写入动作结束后,开始新的上述写入动作;以及标记状态变更部,其在针对包含在上述区域中的所有像素的上述写入动作结束的情况下,将与该区域对应的访问标记变更为不需要上述写入动作的状态。

根据本发明,在显示图像时,减少了对存储器的访问次数,并抑制了消耗电力。

另外,在上述控制装置中也可以是,以多行多列来设置上述多个像素,上述像素的1行是1个上述区域。

根据该构成,在针对1行像素的写入动作是不需要的情况下,由于在存储器中不进行1行像素的访问,因此减少了对存储器的访问次数,并抑制了消耗电力。

此外,在上述控制装置中也可以是,以行多列来设置上述多个像素,上述像素的多行是1个上述区域。

根据该构成,在针对多行的像素的写入动作是不需要的情况下,由于在存储器中不进行多行的访问,因此减少了对存储器的访问次数,抑制了消耗电力。

此外,在上述控制装置中也可以是,以多行多列来设置上述多个像素,相邻的2行以上且2列以上的像素的块是1个上述区域。

根据该构成,在针对多行多列的像素的写入动作是不需要的情况下,由于在存储器中不进行多行多列的访问,因此减少了对存储器的访问次数,抑制了消耗电力。

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