[发明专利]一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种微电子样品制备方法，尤其涉及一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法。

背景技术

现代的IC制造工艺过程，例如，提高金属之间互连性的等级和密度，通过使用常规的发射显微镜已经产生失效定位，而且在IC制造工艺基础上是比较困难的。因此，在IC的背后通过硅的大小进行失效定位是一个解决方法。图1为传统的样品制备方法的示意图，请参见图1所示。传统的用于背面失效定位的失效分析样品制备方法是将整块晶圆切成小块，然后将小块晶圆8安装在载片9上，并且在载片9上粘贴传导带4，最后再通过铝或铜的电线6进行重新连接，并使用探针7进行探测。这种方法需要将晶圆切碎，但是切碎后的晶圆不能再用于晶圆级的测试，在使用时复杂的同时，还费时间。

发明内容

本发明的目的在于提供一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，以解决传统失效分析样品制备方法需要将晶圆切碎，但是切碎后的晶圆不能再用于晶圆级的测试，而且使用过程复杂的同时，还浪费时间的问题。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，其特征在于，包括有晶圆，在所述晶圆的前面寻找目标点，在接近所述晶圆的目标点以及所述晶圆的背面粘贴胶带，然后在所述胶带上粘贴传导带，并在所述目标点以及所述传导带上连接电线，最后在所述晶圆背面的传导带上使用探针进行探测。

上述的失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，其中，所述的晶圆为一晶圆样品的整体。

上述的失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，其中，所述的晶圆为一晶圆样品的部分。

上述的失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，其中，所述胶带为绝缘性、可粘贴性以及可移除性。

上述的失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，其中，所述传导带包括铜带和铝带。

上述的失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，其中，所述电线为铝或金或铜。 

上述的失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，其中，所述目标点为模具或测试键。

本发明由于采用了上述技术，使之具有的积极效果是：

（1）通过本发明能够得到一种好的背面失效定位的结果，而无需将晶圆切碎，有效地节约失效分析费用成本，同时，提高了质量。

（2）通过使用本发明有效地保证了晶圆的完整性，并且实现背面失效定位。

附图说明

图1是传统的样品制备方法的示意图；

图2a是本发明的一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法的流程图1；

图2b是本发明的一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法的流程图2；

图2c是本发明的一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法的流程图3；

图2d是本发明的一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法的流程图4；

图2e是本发明的一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法的流程图5。

具体实施方式

以下结合附图给出本发明一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法的具体实施方式。

图2a为本发明的一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法的流程图1，图2b为本发明的一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法的流程图2，图2c为本发明的一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法的流程图3，图2d为本发明的一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法的流程图4，图2e为本发明的一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法的流程图5，本发明的一种失效分析中晶圆级背面失效定位的样品制备方法，参见图2a所示，包括有一晶圆1，在晶圆1的前面寻找一目标点2，该目标点2位于晶圆1上。参见图2b所示，靠近晶圆1前面目标点2的位置处粘贴胶带3，胶带3分别位于目标点2的两侧，并且该胶带3同时粘贴在晶圆1的背面5上。参见图2c所示，继续在晶圆1前面以及背面5的胶带3上粘贴传导带4。参见图2d所示，在目标点2以及传导带4上连接电线6。再参见图2e所示，在晶圆1背面5的传导带4上使用微型探针7来探测失效定位，进行失效分析。

本发明在上述基础上还具有如下实施方式：

本发明的第一实施例中，请继续参见图2a至图2e所示。上述的晶圆1可以为一晶圆样品的整体或是一部分。

本发明的第二实施例中，胶带3具有绝缘性，以及可粘贴性与可移除性，便于粘贴在晶圆1上，或进行移除。