[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域、与所述第一区域相隔的第二区域、以及第一区域和第二区域之间的隔离区；

形成贯穿所述第一区域的基底的第一鳍部，以及贯穿所述第二区域的基底的第二鳍部，所述第一鳍部的表面高于所述基底表面，所述第二鳍部的表面高于所述基底表面；

形成横跨所述第一鳍部和第二鳍部的栅极结构；

形成位于所述栅极结构两侧的第一外延层和第二外延层，所述第一外延层包裹暴露于基底表面的第一鳍部，所述第二外延层包裹暴露于基底表面的第二鳍部，所述第一外延层和第二外延层均具有第一应力类型；

在形成第一外延层和第二外延层后，形成覆盖所述第二外延层、但暴露出第一外延层的掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜，去除所述第一外延层和部分第一鳍部，形成开口；

在所述开口内形成第三外延层，所述第三外延层具有第二应力类型，所述第二应力类型与所述第一应力类型相反。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一外延层和第二外延层在同一工艺步骤中形成，所述第一外延层和第二外延层的形成方法为选择性外延沉积工艺。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，当所述第一区域用于形成n型鳍式场效应管，所述第二区域用于形成p型鳍式场效应管时，所述第一应力类型为压应力型，第二应力类型为拉应力型。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，当所述第一区域用于形成p型鳍式场效应管，所述第二区域用于形成n型鳍式场效应管时，所述第一应力为拉应力型，第二应力类型为压应力型。

5.如权利要求3或4所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述压应力型的材料为SiGe。

6.如权利要求3或4所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述拉应力型的材料为SiP或SiC。

7.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：形成第一外延层和第二外延层后，去除部分厚度的基底。

8.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：去除部分厚度的基底后，形成覆盖所述第一外延层和第二外延层的应力层。

9.如权利要求8所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述应力层的可流动绝缘层。

10.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：去除部分厚度的基底后，形成覆盖所述第一外延层和第二外延层的可流动绝缘层。

11.如权利要求10所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述可流动绝缘层的应力层。

12.如权利要求8或11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述应力层具有第一应力类型。

13.如权利要求9或10所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述可流动绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅。

14.如权利要求9或10所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述可流动绝缘层的形成步骤为：形成覆盖所述应力层或覆盖所述第一外延层和第二外延层的可流动薄膜；对所述可流动薄膜进行氧化或氮化处理。

15.如权利要求14所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述可流动薄膜的材料为硼磷硅玻璃、硼硅玻璃、磷硅玻璃、聚乙烯氧化硅、聚乙烯氮化硅或正硅酸乙酯。

16.如权利要求14所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，对所述可流动薄膜进行氧化处理时采用的气体为氧气或臭氧。

17.如权利要求16所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，当采用臭氧对所述可流动薄膜进行氧化处理时，其工艺参数包括：反应腔的压强为600-760托，反应温度为150-300℃，反应时间为8-15分钟。

18.如权利要求16所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，当采用氧气对所述可流动薄膜进行等离子氧化处理时，其工艺参数包括：反应腔的压强为600-760托，反应温度为300-500℃，反应时间为15-50秒。