[发明专利]发光器件的制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

包括第一N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层的化合物半导体结构；

位于所述P型化合物半导体层上并与所述P型化合物半导体层电连接的P型电极层；

位于所述化合物半导体结构和所述P型电极层的两侧的多个绝缘壁；

穿透所述多个绝缘壁的多个N型电极层；以及

导电衬底，在所述导电衬底中分别对应于所述多个N型电极层的多个N型电极连接层与对应于所述P型电极层的P型电极连接层分开。

2.权利要求1所述的器件，还包括第二N型化合物半导体层，所述第二N型化合物半导体层覆盖在所述第一N型化合物半导体层和所述多个绝缘壁上，并且将所述多个N型电极层连接到所述第一N型化合物半导体层。

3.权利要求2所述的器件，还包括在所述导电衬底上形成的导电粘合剂层，使得所述多个N型电极连接层分别电连接到所述多个N型电极层，并且使得所述P型电极连接层电连接到所述P型电极层。

4.权利要求3所述的器件，其中所述导电衬底和所述导电粘合剂层包括多个隔墙，所述多个隔墙将所述多个N型电极连接层与所述P型电极连接层分开以防止它们之间的电传导。

5.权利要求4所述的器件，其中所述多个隔墙与所述多个绝缘壁接触。

6.权利要求2所述的器件，其中所述第二N型化合物半导体层具有在其顶面上形成的凹凸结构。

7.一种发光器件，包括：

包括第一N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层的化合物半导体结构；

位于所述P型化合物半导体层上并与所述P型化合物半导体层电连接的P型电极层；

在所述化合物半导体结构和所述P型电极层的中间部分中形成的绝缘壁；

穿过所述绝缘壁的N型电极层；以及

导电衬底，在所述导电衬底中对应于所述N型电极层的N型电极连接层与对应于所述P型电极层的多个P型电极连接层分开。

8.权利要求7所述的器件，还包括第二N型化合物半导体层，所述第二N型化合物半导体层覆盖在所述第一N型化合物半导体层和所述绝缘壁上，并且将所述N型电极层连接到所述第一N型化合物半导体层。

9.权利要求8所述的器件，还包括在所述导电衬底上形成的导电粘合剂层，使得所述N型电极连接层电连接到所述N型电极层，并且使得所述多个P型电极连接层电连接到所述P型电极层。

10.权利要求9所述的器件，其中所述导电衬底和所述导电粘合剂层包括多个隔墙，所述多个隔墙将所述N型电极连接层与所述多个P型电极连接层分开以防止它们之间的电传导。

11.权利要求10所述的器件，其中所述多个隔墙与所述绝缘壁接触。

12.权利要求8所述的器件，其中所述第二N型化合物半导体层具有在其顶面上形成的凹凸结构。

13.一种制造发光器件的方法，该方法包括步骤：

在衬底上形成多个绝缘壁；

在由所述多个绝缘壁限定的内部空间中形成化合物半导体结构和P型电极层；

在所述多个绝缘壁中形成对应的多个N型电极层；以及

附接导电衬底，在所述导电衬底中多个N型电极连接层与P型电极连接层分开。

14.权利要求13所述的方法，其中所述在所述衬底上形成所述多个绝缘壁的步骤包括步骤：

在所述衬底上形成第二N型化合物半导体层；

在所述第二N型化合物半导体层上形成绝缘层；以及

对所述绝缘层进行图案化以在所述衬底两侧上形成多个间隔开的绝缘壁。

15.权利要求14所述的方法，其中所述形成所述化合物半导体结构和所述P型电极层的步骤包括步骤：

顺序堆叠第一N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层以形成所述化合物半导体结构；以及

在所述P型化合物半导体层上形成所述P型电极层。

16.权利要求13所述的方法，其中所述在所述多个绝缘壁中形成对应的多个N型电极层的步骤包括步骤：

穿透对应的所述多个绝缘壁以形成从所述多个绝缘壁的顶面延伸到所述第二N型化合物半导体层的顶面的多个孔；以及

用金属材料填充所述多个孔。