[发明专利]一种低内阻超级电容器极片及其制造方法

权利要求书

1.一种低内阻超级电容器极片及其制造方法，其特征在于：使用金属网为电极集流体，加入一种特殊表面活性剂后，使用超声波技术对集流体表面进行祛污处理，取出后用二次去离子水清洗金属网，真空干燥后再用一种表面活性剂对金属网进行表面修饰，得到金属网表面含有某种有机官能团的底物材料，然后再使用超声波技术对难于分散的导电碳黑Super-P进行分散处理，从而使导电碳黑均匀的分布于电极活性材料之间。

2.一种低内阻超级电容器极片及其制造方法，其特征在于：在制备电极活性物质浆料过程中，优化各物料的添加顺序。

3.根据权利要求1所述的一种低内阻超级电容器极片及其制造方法，其特征在于：金属网的开孔方式可以为腐蚀开孔、冲压开孔、激光开孔；或者使用编织丝网、斜拉丝网。

4.根据权利要求1所述的一种低内阻超级电容器极片及其制造方法，其特征在于：电极所用金属网的材料可以是铝、铜、不锈钢或镀镍不锈钢。

5.据权利要求1所述的一种低内阻超级电容器极片及其制造方法，其特征在于：金属网的厚度在0.02mm-0.1mm之间。

6.根据权利要求1所述的一种低内阻超级电容器极片及其制造方法，其特征在于：金属网孔的形状可以为圆形、菱形、矩形或其它不规则形状。

7.根据权利要求1所述的一种低内阻超级电容器极片及其制造方法，其特征在于：除污使用的表面活性剂为强碱性的阴离子表面活性剂。

8.根据权利要求1所述的一种低内阻超级电容器极片及其制造方法，其特征在于：表面修饰剂使用含氟表面活性剂；其中包括阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂及特殊表面活性剂。

9.根据权利要求1所述的一种低内阻超级电容器极片及其制造方法，其特征在于：超声波祛污处理（1-5min），超声波表面修饰（1-5min）。

10.根据权利要求1所述的一种低内阻超级电容器极片及其制造方法，其特征在于：所用超声波的频率为40KHZ，分散介质为石英亚沸去离子水，分散时间为18-30min，温度为40-55℃。

11.根据权利要求2所述的一种低内阻超级电容器极片及其制造方法，其特征在于：各个物料的添加顺序依次为表面活性剂、表面修饰剂、粘合剂、导电碳黑Super-P和活性炭。