[发明专利]外延结构体有效
申请号: | 201210085266.1 | 申请日: | 2012-03-28 |
公开(公告)号: | CN103367569A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 魏洋;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/22 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外延 结构 | ||
1.一种外延结构体,包括:
一基底,所述基底具有一外延生长面,所述外延生长面具有多个第一凸起部与多个第一凹陷部;
一碳纳米管层,所述碳纳米管层设置于所述基底的外延生长面,并覆盖所述多个第一凸起部与第一凹陷部,所述碳纳米管层的起伏趋势与所述外延生长面的起伏趋势相同;
一外延层,所述外延层形成于所述基底的外延生长面,所述碳纳米管层位于所述外延层与所述基底之间。
2.如权利要求1所述的外延结构体,其特征在于,所述外延层靠近基底的表面与所述外延生长面耦合。
3.如权利要求2所述的外延结构体,其特征在于,所述外延层靠近基底的表面对应所述第一凸起部具有一第二凹陷部,对应所述第一凹陷部具有一第二凸起部。
4.如权利要求1所述的外延结构体,其特征在于,所述碳纳米管层具有多个微孔,对应所述微孔位置处的外延层贯穿所述碳纳米管层并与所述基底的外延生长面相接触。
5.如权利要求4所述的外延结构体,其特征在于,在所述外延层靠近基底的表面,对应所述碳纳米管层微孔的位置处形成多个纳米凸起结构,所述纳米凸起结构贯穿所述碳纳米管层与所述基底接触。
6.如权利要求4所述的外延结构体,其特征在于,在所述外延层靠近基底的表面对应所述碳纳米管层中碳纳米管的位置处形成多个孔洞,所述碳纳米管层中的碳纳米管嵌入所述孔洞中。
7.如权利要求1所述的外延结构体,其特征在于,所述碳纳米管层为一整体的连续结构。
8.如权利要求7所述的外延结构体,其特征在于,所述碳纳米管层为多个碳纳米管组成的自支撑结构。
9.如权利要求7所述的外延结构体,其特征在于,所述碳纳米管层包括多个沿同一方向择优取向延伸的碳纳米管,所述碳纳米管之间通过范德华力首尾相连。
10.如权利要求7所述的外延结构体,其特征在于,所述碳纳米管层中对应所述第一凹陷部位置处的碳纳米管贴附于所述第一凹陷部的底面及侧面。
11.如权利要求10所述的外延结构体,其特征在于,所述外延层中第二凹陷部的底面及侧面,以及所述外延层中第二凸起部的顶面具有多个纳米凸起结构,所述纳米凸起结构与所述外延生长面接触。
12.如权利要求1所述的外延结构体,其特征在于,碳纳米管层对应第一凹陷部位置处的部分与对应第一凸起部位置处的部分断开,对应第一凹陷部位置处的部分碳纳米管层贴附于所述第一凹陷部的底面。
13.如权利要求12所述的外延结构体,其特征在于,所述外延层中第二凹陷部的底面以及所述外延层中第二凸起部的顶面形成多个纳米凸起结构,所述纳米凸起结构与所述外延生长面接触。
14.如权利要求13所述的外延结构体,其特征在于,所述外延层中第二凹陷部的侧面为一平滑的表面。
15.如权利要求1所述的外延结构体,其特征在于,所述第一凹陷部为多个条形的凹槽,所述多个条形的凹槽彼此平行排列或彼此交叉排列。
16.如权利要求15所述的外延结构体,其特征在于,所述凹槽的宽度为1微米~50微米,深度为0.1微米~1微米,相邻凹槽之间的间距为1微米~20微米。
17.如权利要求1所述的外延结构体,其特征在于,所述第一凹陷部为多个间隔设置的凹洞。
18.如权利要求1所述的外延结构体,其特征在于,所述第一凸起部为多个间隔设置的凸点。
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