[发明专利]一种提高太阳能电池效率的扩散工艺无效
| 申请号： | 201210084991.7 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102593264A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 鲁伟明;王丽华 | 申请（专利权）人： | 泰通（泰州）工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B31/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 225312 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 太阳能电池 效率 扩散 工艺 | ||
1.一种提高太阳能电池效率的扩散工艺，其特征是，包括以下步骤：
（1） 使用常规工艺对硅片进行表面织构，清洗和干燥；
（2） 在一定温度下将步骤（1）所得硅片放入扩散炉中，通入氮气；
（3） 低温预氧化：将扩散炉进行升温，通入氧气，时间为3-10分钟；
（4） 预扩散：在一定温度下，通入携带POCl3的氮气，时间为10-40分钟，进行预扩散；
（5） 通氧再分布：在一定温度下，停止通入携带POCl3的氮气，通入氧气，时间是5-10分钟；
（6） 高温推进扩散：切断氮气、氧气，将扩散温度提升，稳定一段时间，时间为10-40分钟；
（7） 低温退火：将温度降低，通入氮气,保持60-120分钟；
（8） 扩散完毕，将硅片取出。
2.根据权利要求1所述的一种提高太阳能电池效率的扩散工艺，其特征是，所述步骤（2）中扩散炉内的温度为780-820℃。
3.根据权利要求1所述的一种提高太阳能电池效率的扩散工艺，其特征是，所述步骤（3）中扩散炉的温度为800-840℃。
4.根据权利要求1所述的一种提高太阳能电池效率的扩散工艺，其特征是，所述步骤（4）中预扩散的温度为800-840℃。
5.根据权利要求1所述的一种提高太阳能电池效率的扩散工艺，其特征是，所述步骤（5）中通氧再分布的温度为800-840℃。
6.根据权利要求1所述的一种提高太阳能电池效率的扩散工艺，其特征是，所述步骤（6）的扩散温度为820-860℃。
7.根据权利要求1所述的一种提高太阳能电池效率的扩散工艺，其特征是，所述步骤（7）中温度降低至600-700℃，降温速度为1oC/min-10oC/min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰通（泰州）工业有限公司，未经泰通（泰州）工业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210084991.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种海上托梁安装校正器
- 下一篇：一种提高玉米籽粒产量的培养方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
