[发明专利]金纳米点阵表面增强拉曼活性基底及其制备方法

权利要求书

1.一种金纳米点阵表面增强拉曼活性基底，其特征在于该基底以硅单晶为衬底，在硅表面沉积金纳米颗粒阵列结构；所述的金纳米颗粒的粒径为16～85 nm，颗粒中心距为99～111 nm。

2.一种制备根据权利要求1所述的金纳米点阵表面增强拉曼活性基底的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：

a.超薄氧化铝模板UTAM制备；

b.UTAM孔径调节；

c.UTAM转移到Si衬底上；

d.金属纳米点阵表面增强拉曼活性基底的制备：将步骤才c所得UTAM/Si样品，在真空度为8×10^-4  Pa，电压90 V，蒸发速率0.3～0.5 nm/s条件下，蒸发金粉 100～200 s；然后去除UTAM，得到金纳米点阵表面增强拉曼活性基底。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于制备所述的超薄氧化铝模板(UTAM)的具体步骤为： a_1.铝片的预处理：将0.2 mm厚99.999%的高纯铝片在丙酮中超声清洗30 min，氮气保护下450～550℃退火，然后在温度0℃的乙醇及高氯酸的混合液中，750 mA恒流条件下进行电化学抛光；

a_2.阳极氧化：将经步骤a_1处理后的铝片以0.3 M草酸溶液为电解液，在40 V恒电压下进行第一次阳极氧化处理后，时间为7～12 h；然后在温度60℃条件下于质量分数6%磷酸和1.8%铬酸的混合液中浸泡10 h，再以0.3 M草酸溶液为电解液，在40 V恒电压下进行第二次阳极氧化3～5 min；

a_3.未反应铝基底的去除：将步骤a_2所得氧化铝模板浸没在CuCl₂和HCl的混合液中，将未氧化的铝基底完全溶掉，以获得纯的超薄氧化铝模板。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的UTAM孔径调节具体步骤为：将氧化铝模板的阻碍层朝下漂浮在30℃，质量百分比为5%的稀磷酸溶液中，扩孔时间为45～60 min，得到不同孔径的UTAM。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的UTAM转移到Si衬底上的具体步骤为：将经过扩孔后且表面附有光刻胶的UTAM样品漂浮在丙酮溶液中，待表面的光刻胶全部溶解后，将UTAM轻轻转移到清洗干净的Si衬底上。