[发明专利]含In和Sn的合金的回收方法及ITO循环再利用材料处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种包含In和Sn的合金的回收方法，尤其是涉及用于从ITO废料等的In-Sn混合物中回收包含In和Sn的合金的、包含In和Sn的合金的回收方法及ITO循环再利用材料的处理方法。

背景技术

现有以来，氧化铟·锡(ITO)的薄膜作为透明导电膜而被利用，主要将ITO烧结体作为靶材通过溅射法或蒸镀法来制作。ITO靶材的使用率低，且使用后的大部分作为废料回收。为了有效活用In等资源，而从回收了的ITO废料中回收In及Sn。

关于从以ITO废料为代表的In和Sn的混合物中有选择地分离In而回收的方法有溶剂提取或酸浸，尤其是酸浸为通用方法，往往采用盐酸、硫酸、硝酸等无机酸等。

例如，在JP特开2000-169991号公报(专利文献1)中，使ITO在盐酸中熔化，并在之中添加碱而使pH成为0.5～4，将Sn作为氢氧化物除去，接着吹入硫化氢气体，作为铜、铅等有害物而除去，然后采用该熔化液并通过电解而电解采集In金属。

但是，在专利文献1所公开的技术中，最初在该工序的前阶段，为了能够进行酸浸，故存在微粉化的需要。不过，近年的ITO由于高密度化，而粉碎非常困难，且粉尘等环境对策花费巨大的费用。

另外，在专利文献1所公开的技术中，产生了回收工序内的污染物，故精制工序是必须的。精制有酸处理或硫化处理等，由此能够除去铅、铁、铜，但此时也除去了Sn。

也有为了使ITO废料酸浸而不粉碎地还原来金属化的方法。例如，在JP特开平7-145432号公报(专利文献2)中，存在将ITO在氢气中进行还原这样的记载。

但是，在专利文献2所公开的技术中，还原温度比较高，故实际上存在In成分大量挥发的情况。另外，如实施例所示，作为生成的还原金属中的杂质的Fe含有率高。欲要获得高纯度的In时，要通过电解精制、酸浸等作为In单独进行分离，在此也除去了Sn。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】JP特开2000-169991号公报

【专利文献2】JP特开平7-145432号公报

发明内容

本发明就是鉴于上述课题而作出的，其课题在于，提供能够抑制自原料中的In或Sn的损失且能够以高纯度回收In和Sn的合金的、包含In和Sn的合金的回收方法及ITO循环再利用材料的处理方法。

为了解决上述课题，本发明人进行了认真研究，其结果发现，通过使ITO废料等中所包含的In和Sn的混合物在适当的温度下进行还原处理，并适量抽出所获得的熔融金属中的熔渣来铸造，从而既抑制自原料中的In、Sn的损失又可获得包含高纯度的In和Sn的合金。

在以这样的见解作为基础而完成的本发明在一方面为包含In和Sn的合金的回收方法，包括：将包含In和Sn的混合物在熔化炉中通过还原气体在750～1000℃下进行还原的工序；从通过还原所获得的熔融金属中除去熔渣的工序；铸造熔渣除去后的熔融金属而制造包含In和Sn的合金的工序。

本发明的包含In和Sn的合金的回收方法在一实施方式中为，将熔渣除去熔融金属总容量的1～3mass％。

本发明的包含In和Sn的合金的回收方法在一实施方式中为，还原气体为RX气体。

本发明在另一方面为ITO循环再利用材料的处理方法，包括：将ITO循环再利用材料在熔化炉中通过还原气体在750～1000℃下进行还原的工序；从通过还原所获得的熔融金属中除去熔渣的工序；铸造除去后的熔融金属而制造包含In和Sn的合金的工序。

发明效果

根据本发明，提供能够抑制自原料中的In或Sn的损失且能够以高纯度回收In和Sn的合金的、包含In和Sn的合金的回收方法及ITO循环再利用材料的处理方法。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的包含In和Sn的合金的回收方法的一处理方式的流程图。

具体实施方式

本发明的实施方式所涉及的包含In和Sn的合金的回收方法包括：(1)使包含In和Sn的混合物在熔化炉中通过还原气体在750～1000℃下还原的工序；(2)从通过还原获得的熔融金属中除去熔渣的工序；(3)对熔渣除去后的熔融金属进行铸造而制造包含In和Sn的合金的工序。