[发明专利]一种闪存无效
申请号: | 201210082261.3 | 申请日: | 2012-03-26 |
公开(公告)号: | CN102610265A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 苏志强;丁冲;张现聚 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C7/06 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;朱世定 |
地址: | 100084 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 闪存 | ||
技术领域
本发明涉及存储器设计技术领域,特别是涉及一种闪存。
背景技术
闪存(Flash)是一种响应速度很快的存储器。如图1所示,现有的Flash(标号为11)包括相连的存储阵列101和灵敏放大器102两部分,其中的存储阵列101用于存储数据,灵敏放大器102与该Flash的外部接口12相连,用于根据外部接口12送来的读指令以及数据地址,将存储阵列101中存储的相应数据读出,并通过外部接口12输出。
可见,利用现有的Flash进行一次读数据操作至少包括以下两步:第一步为灵敏放大器102从存储阵列101中读出相应数据,第二步为灵敏放大器102将数据送至外部接口12,而在现有技术中,第二步的速度远远大于第一步,因此,在现有的Flash工作过程中,外部接口12需要消耗大量的时间来等待灵敏放大器102从存储阵列101读取数据,也就长期处于闲置状态,这不仅降低了Flash的工作效率,而且使得Flash的响应速度也较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种闪存,能提高工作效率和响应速度。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种闪存Flash,该Flash包括依次相连的存储阵列、灵敏放大器和缓存器;所述缓存器与该Flash的外部接口相连;其中,
所述存储阵列用于存储数据;
所述灵敏放大器用于,根据所述缓存器送来的读指令和数据地址,从所述存储阵列中读出数据并将其送至所述缓存器;
所述缓存器用于,从所述外部接口接收所述读指令和数据地址,并将其送至所述灵敏放大器;缓存所述灵敏放大器送来的数据,并将其通过所述外部接口输出。
本发明的有益效果是:本发明中的Flash在灵敏放大器和外部接口之间增设了缓存器,灵敏放大器仅用于从存储阵列中读取数据,而缓存器则承担了缓存灵敏放大器读出的数据、并将其输出至外部接口的工作,这样,灵敏放大器读取数据和缓存器输出数据这两部分工作就可以同时进行,在缓存器将缓存的数据全部输出至外部接口之后,灵敏放大器立刻可将读出的下一批数据送到缓存器,因此,外部接口就无需或者仅有很少的时间处于闲置状态,这大大提高了Flash的工作效率,同时也提高了该Flash对外部指令的响应速度。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进:
进一步,所述数据地址为一条字线的地址;
所述灵敏放大器用于,根据所述缓存器送来的读指令和所述字线的地址,从所述存储阵列中读出该条字线所存储的数据并将其并行送至所述缓存器。
进一步,所述数据地址为一页的地址;
所述灵敏放大器用于,根据所述缓存器送来的读指令和所述一页的地址,从所述存储阵列中读出该页所存储的数据并将其并行送至所述缓存器。
进一步,所述缓存器还用于,缓存所述外部接口送来的数据,并将其送至所述灵敏放大器;
所述灵敏放大器还用于,将所述缓存器送来的数据送到所述存储阵列保存。
附图说明
图1为现有的Flash的结构图;
图2为本发明提出的Flash的结构图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
图2为本发明提出的闪存(Flash)的结构图。如图2所示,该Flash(标号为21)包括依次相连的存储阵列201、灵敏放大器202和缓存器203;缓存器203与该Flash的外部接口22相连;其中,
存储阵列201用于存储数据;
灵敏放大器202用于,根据缓存器203送来的读指令和数据地址,从存储阵列201中读出数据并将其送至缓存器203。这里的数据地址指的是读指令所要读取的数据在存储阵列201中的存储地址,灵敏放大器202只能根据读指令以及该数据地址,才能从存储阵列201中读取相应的数据。
缓存器203用于,从外部接口22接收读指令和数据地址,并将其送至灵敏放大器202;缓存灵敏放大器202送来的数据,并将其通过外部接口22输出。
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