[发明专利]光学器件和成像装置有效

专利信息
申请号: 201210080383.9 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN102736279A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 海部敬太 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1335;G02F1/1337;G02F1/1339;H04N5/225;H04N5/238
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 吴艳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光学 器件 成像 装置
【说明书】:

技术领域

本技术涉及通过控制穿过一单元的光透射率来进行调光的光学器件以及包括该光学器件的成像装置。

背景技术

对于成像装置中的调光控制,已提出了能够自由地且电气地改变入射光的透射率的各种调光单元。在它们中,提出了若干使用液晶的调光单元。在这种调光单元中,经常使用的是含有二向色染料的宾主(guest-host,GH)型液晶。调光单元通常设置在已知的虹彩光圈被设置的部分处,或者成像元件的周缘部分处。

然而,当通过在光路上设置使用GH型液晶的调光单元来进行调光时,由于GH型液晶含有染料,所以光被染料吸收,调光单元的最大光透射率降低。该现象在使用为黑暗状态制备的GH型液晶时尤其显著,因此,透镜的F数下降。

为了解决这种问题,在日本未审查专利申请2005-109630号公报中,如此进行调光控制,以使含有GH型液晶的调光单元在低照度成像时(例如,在拍摄黑暗场景的图像时)偏离光轴。

然而,当像在日本未审查专利申请2005-109630号公报中那样进行调光控制时,在调光单元被配置于光轴上的情况与调光单元偏离光轴的情况之间,成像装置的光路长度由于液晶部分的折射率与空气的折射率之间的差异而发生变化。换言之,由于每次偏移调光单元都必须重新设置光路长度,所以透镜的设置和曝光控制变得复杂。

发明内容

希望的是提供一种包括能够在不改变光路长度的情况下进行低照度成像的调光单元的光学器件,以及使用该光学器件的成像装置。

本技术一实施例的光学器件包括:在设置于光入射侧的第一透明基板与设置于光出射侧并且面对所述第一透明基板的第二透明基板之间具有容纳层的单元;设置在所述容纳层的第一区域中并且允许光透射率在预定范围内变化的可变透射率部分;和从光入射侧观察设置在不同于所述第一区域的第二区域中并且光透射率高于所述可变透射率部分的光透射率的固定透射率部分。

在本技术的实施例的光学器件中,由于在一个单元中彼此不同的区域中设置有可变透射率部分和光透射率高于可变透射率部分的光透射率的固定透射率部分,所以能够在拍摄图像时根据亮度偏移所述单元,以将可变透射率部分、固定透射率部分或者可变透射率部分与固定透射率部分之间的分界附近的区域配置到光轴上。此外,除偏移所述单元外,还能够将可变透射率部分配置在光轴上,并通过例如施加电压来改变入射光的光透射率。

本技术一实施例的成像装置包括成像元件和光学器件。所述光学器件包括:在设置于光入射侧的第一透明基板与设置于光出射侧并且面对所述第一透明基板的第二透明基板之间具有容纳层的单元;设置在所述容纳层的第一区域中并且允许光透射率在预定范围内变化的可变透射率部分;和从光入射侧观察设置在不同于所述第一区域的第二区域中并且光透射率高于所述可变透射率部分的光透射率的固定透射率部分。所述光学器件进行调光来进行成像。

对于本技术的实施例的光学器件和成像装置,由于在一个单元中设置有可变透射率部分和光透射率高于可变透射率部分的光透射率的固定透射率部分,所以能够在低照度成像时偏移所述单元,来将具有更高光透射率的固定透射率部分配置到光轴上。因此,能够在不改变光路长度的情况下进行低照度成像。

应该明白的是,以上概略描述和以下详细描述均是示例性的,并旨在对所要求的技术提供进一步说明。

附图说明

附图被包括以实现进一步理解本公开,并被组入以构成本说明书的一部分。附图示出了实施例,并与说明书一起,用于说明本技术的原理。

图1是示出本公开一应用示例的成像装置的示例性外部构造的透视图。

图2是示出图1所示镜筒装置的示例性外部构造的透视图。

图3是示出图1所示镜筒装置等中的光学系统的示例性构造的示意图。

图4A和4B是示出本公开第一实施例的调光单元(光学器件)的视图。

图5是示出GH型液晶的最大光透射率与最小光透射率之间的示例性关系的视图。

图6是示出图1所示成像装置中的控制处理部分等的示例性构造的框图。

图7A-7C是用于描述图4A和4B所示调光单元的操作的透视图。

图8A和8B是用于描述比较示例的调光单元的操作的视图。

图9A和9B是示出本公开第二实施例的调光单元(光学器件)的视图。

图10A-10C是图9A和9B所示隔断部分的变型的截面图。

图11A和11B是示出图9A和9B所示层厚变化区域的变型的截面图。

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