[发明专利]有机光电子器件的薄膜封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机光电子器件如有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, OLED)或有机太阳能电池(Organic Photovoltaic, OPV)的薄膜封装方法。 

背景技术

有机光电子器件，如有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, OLED)，具有优异性能和广泛应用，但因为材料性质，受到水分和氧气侵袭后极易变质，因此对封装性能要求很高。传统的玻璃盖或金属盖封装已经实现较好的效果，但不尽适用于一些重要或有潜力的应用场合，比如顶发射OLED显示技术、柔性OLED显示技术或柔性OPV等。为此业界开发了薄膜封装技术，用一层或若干层真空淀积的薄膜阻隔水氧，不遮挡光出射或入射的路径，也不影响衬底的可弯曲性。 

各种薄膜封装的技术路径中，多次交替沉积无机-有机薄膜的技术开发较早也较为成熟，例如Vitex的Barix技术。然而，该项技术存在固有的局限，假如与有机光电子器件接触的第一层薄膜是在等离子体环境中沉积的（如溅射沉积或等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)），有机光电子器件很容易被等离子体损伤，因而需要非常严格地控制工艺，使沉积条件尽量温和。而这样温和的条件不利于提供无机薄膜材料所可能提供的最佳致密度，即工艺窗口非常窄，而且很可能在最优条件之外，不能实现该材料体系所能提供的最佳密封性能。另一方面，假如第一层薄膜是有机高分子薄膜，则在其之上包覆的无机薄膜的边缘由于台阶覆盖等问题密封性会劣于正面，水分和氧气容易从边缘渗透。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种既能防止被等离子体损伤，又能防止边缘渗透有机光电子器件的薄膜封装方法。 

为实现前述目的，本发明采用如下技术方案： 

一种有机光电子器件的薄膜封装方法，其包括如下步骤：

提供一基板，所述基板上设有有机光电子器件；

在所述有机光电子器件周围形成环状第一无机薄膜；

用非等离子体方法在所述有机光电子器件上沉积薄膜，使所述薄膜填充至所述第一无机薄膜所围绕的区域内；

在所述薄膜与第一无机薄膜上沉积第二无机薄膜，并使所述第二无机薄膜与第一无机薄膜相接，从而将所述有机光电子器件和薄膜整个包覆住。

作为本发明的进一步改进，其还包括在所述第一、第二无机薄膜外沉积多层无机-有机薄膜对的步骤。 

作为本发明的进一步改进，所述第一无机薄膜的厚度较有机光电子器件的厚度厚，所述第一无机薄膜的厚度范围为1000-10000埃米。 

作为本发明的进一步改进，所述薄膜是无机-有机薄膜封装体系中的有机薄膜。 

作为本发明的进一步改进，所述薄膜的厚度恰好填充至与所述第一无机薄膜平齐。 

作为本发明的进一步改进，所述第一无机薄膜是通过溅射或等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)透过掩膜通孔沉积形成。 

作为本发明的进一步改进，所述第一、第二无机薄膜的材料与工艺相同。 

作为本发明的进一步改进，所述有机光电子器件为有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, OLED)或有机太阳能电池(Organic Photovoltaic, OPV)。 

作为本发明的进一步改进，所述第一无机薄膜围成的形状为四方形。 

本发明在有机光电子器件的周围形成环状第一无机薄膜，实现更致密的薄膜，从而可以防止薄膜封装后的边缘被渗透，加强边缘的保护，同时，等离子体薄膜沉积不在有机光电器件上直接进行，可避免等离子损伤，能够充分利用材料体系的潜力，不改变原有材料体系。 

附图说明

图1为本发明的有机光电子器件的薄膜封装结构示意图。 

图2a至图2d为本发明的有机光电子器件的薄膜封装过程示意图。 

图3a为本发明的环状薄膜的示意图。 

图3b至图3c为本发明的沉积所述环状薄膜的掩模设计示意图。 

具体实施方式