[发明专利]用于太阳电池的新型等离子激元增强上转换器及其制备无效
申请号: | 201210079301.9 | 申请日: | 2012-03-23 |
公开(公告)号: | CN102610685A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 陈永生;焦岳超;卢景霄 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055;H01L31/18 |
代理公司: | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 田小伍;黄伟 |
地址: | 450001 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 太阳电池 新型 等离子 增强 转换器 及其 制备 | ||
技术领域
本发明属于太阳电池技术领域,特别涉及一种用于太阳电池的新型等离子激元增强上转换器及其制备。
背景技术
随着社会和经济的高速发展,人类对能源的需求日益增长。光伏发电将会在未来可再生能源领域占有重要的组成部分。目前光伏产业进一步发展的最大制约因素在于其发电成本高于常规能源,因此开发高效、低价、长寿命太阳电池就成为了世界各国研究的热点。其中提高电池效率的途径之一是如何进一步提高太阳光的充分利用,这就涉及到先进光管理设计的研究。
实现光管理设计的方法之一是采用陷光-捕获技术。在传统的硅太阳电池中,陷光效应是借助于表面织构使以较大的角度散射从而提高有效光程。近年来在薄膜电池中实现有陷光效应的新方法是利用金属纳米结构来支持一种金属和介质表面传导电子激发的表面等离子。这种技术能使光聚集并折叠到半导体薄膜层中,从而利用金属纳米颗粒中的局域表面等离子以及金属/半导体界面的表面等离子激元效应提高光的吸收。
实现光管理设计的另一种途径是采用上转换发光材料。由于太阳电池材料禁带宽度的限制,使得太阳电池只能吸收太阳光谱中的可见光部分。如何能够将太阳光谱中的近红外光谱区充分利用起来,成为宽光谱高效电池关注的一个方向。目前,对于近红外光谱利用的一个研究热点就是上转换发光材料。上转换材料吸收低能量的红外光并转换为高能量的可见光,增加太阳电池对光的吸收,从而提高电池的效率。
量子点(QDs,quantum dots)主要是指尺寸在1-100nm的纳米材料,众所周知,量子点独特的随其本身尺寸大小变化而变化的物理、化学性能起因于量子尺寸效应。当量子点尺寸接近或小于激子玻尔半径时,便表现出有别于本体材料的物理化学性质的突变。此外量子点还具有激发波长范围较广、分布连续,发射波长较窄且呈高斯对称、Stockes位移大、荧光发射波长位置可由量子点粒径大小调控等特点,成为近年来研究的热点。如利用PbS量子点之制备红外探测器[Rempel A A,Kozhevnikova N S,Leenaers,et al,[J].J Cryst Growth ,2005
,280(1-2): 300-308]和太阳能接收器[Zhou Y, Itoh H, Uemura T, et al.[J].Langmiur, 2002,18(13):5287-5292]等已见报道。量子点的潜在用途主要包括三个方面;应用于通讯系统中的光学放大器、生物荧光探针以及应用于电致发光器件、光点检测器等。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于太阳电池的新型等离子激元增强上转换器,以进一步提高电池效率。
本发明采用的技术方案如下:
用于太阳电池的新型等离子激元增强上转换器,所述上转换器由纳米金属颗粒与上转换材料颗粒均匀分散于衬底上形成;其中所述的上转换材料由稀土离子掺杂的上转换发光材料、量子点材料构成,所述的量子点材料为窄带隙的半导体化合物。
本发明还提供了一种所述上转换器的制备方法:
1)先在衬底上制备金属薄膜,然后将上转换材料涂敷于金属薄膜上;在真空或惰性气氛中于200-300℃退火即得纳米金属颗粒与上转换材料颗粒均匀混合的等离子激元增强上转换器。
或者:
2)先在衬底上涂敷上转换材料,然后在上转换材料表面沉积金属薄膜,在真空或惰性气氛中于200-300℃退火后,即得纳米金属颗粒与上转换材料颗粒均匀混合的等离子激元增强上转换器。
其中,通过真空蒸发法或溅射法制备或沉积金属薄膜。
所述的上转换材料是由稀土离子掺杂的上转换发光材料和量子点材料构成的核/壳结构,核/壳结构以量子点材料为核,稀土离子掺杂的上转换发光材料为壳,壳层厚度为100-500nm。
所述的稀土离子掺杂的上转换发光材料为稀土离子掺杂的氧化物、氟化物、氯化物或者硫化物。
所述的量子点材料为PbS、PbSe、GaSb或HgSe,颗粒直径大小为5-30nm。
涂敷的上转换材料的厚度为0.1-1.0mm。
所述的金属薄膜为Ag或Au的薄膜,金属薄膜厚度为10~30nm。
所述的衬底为玻璃或陶瓷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的