[发明专利]检测器电路有效
申请号: | 201210079122.5 | 申请日: | 2012-03-16 |
公开(公告)号: | CN102692541A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 中本裕之 | 申请(专利权)人: | 富士通半导体股份有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R15/14 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测器 电路 | ||
1.一种检测器电路,包括:
第一二极管,交流信号被输入到该第一二极管的正极并且恒定电压被提供到该第一二极管;
第二二极管,所述恒定电压被提供到该第二二极管;以及
差值电流生成电路,该差值电流生成电路生成在所述第一二极管中流动的第一电流与在所述第二二极管中流动的第二电流之间的差值电流。
2.根据权利要求1所述的检测器电路,其中
所述差值电流生成电路包括:
第一电流镜电路,该第一电流镜电路设在所述第一二极管的负极侧并且生成第三电流,该第三电流的电流值是所述第一电流与第一电流镜像比的乘积;
第二电流镜电路,该第二电流镜电路设在所述第二二极管的负极侧并且生成第四电流,该第四电流的电流值是所述第二电流与第二电流镜像比的乘积;
第三电流镜电路,该第三电流镜电路生成电流值是所述第三电流与第三电流镜像比的乘积的第五电流,或者电流值是所述第四电流与所述第三电流镜像比的乘积的第六电流;以及
耦合有所述第五电流的路径和所述第四电流的路径的耦合节点,或者耦合有所述第六电流的路径和所述第三电流的路径的耦合节点,其中
所述差值电流是在耦合节点处生成的。
3.根据权利要求2所述的检测器电路,还包括校准电路,在所述交流信号的输入停止的状态下,所述校准电路可变地设定所述第一、第二和第三电流镜像比中的至少一者以使得所述差值电流被减小。
4.根据权利要求1所述的检测器电路,其中
所述恒定电压经由第一电阻器施加到所述第一二极管的正极并且经由第二电阻器施加到所述第二二极管的正极,
所述检测器电路还包括校准电路,该校准电路在高频信号的输入停止的状态下可变地设定所述第二电阻器的电阻值以使得所述差值电流被减小。
5.根据权利要求3所述的检测器电路,其中,所述校准电路包括:检测所述差值电流的符号的比较器,以及根据所述比较器的比较结果来执行可变设定的校准控制电路。
6.根据权利要求4所述的检测器电路,其中,所述校准电路包括:检测所述差值电流的符号的比较器,以及根据所述比较器的比较结果来执行可变设定的校准控制电路。
7.根据权利要求5所述的检测器电路,其中,所述校准电路包括:校准电流经由第一开关提供到的校准电容、设在所述耦合节点与所述校准电容之间的第二开关、向所述耦合节点输入电压的反相器以及所述校准控制电路,所述校准控制电路在所述第一开关被导通并且所述校准电容被充电到所述反相器的阈值电压时根据所述反相器的输出执行可变设定,此后所述第一开关被关断并且所述第二开关被导通,并且所述差值电流被提供到所述校准电容。
8.根据权利要求3所述的检测器电路,其中,所述第一电流镜电路、第二电流镜电路和第三电流镜电路各自具有栅极共同耦合的一对晶体管,并且所述第一、第二和第三电流镜像比的可变设定通过对这些对晶体管的沟道宽度比的可变设定来执行。
9.根据权利要求2所述的检测器电路,包括:
第一平滑电路,该第一平滑电路设在所述第一二极管的负极与所述第一电流镜电路之间;以及
第二平滑电路,该第二平滑电路设在所述第二二极管的负极与所述第二电流镜电路之间。
10.根据权利要求9所述的检测器电路,其中
所述第一平滑电路包括耦合到所述第一二极管的负极的第一平滑电容器和设在所述第一二极管的负极与所述第一电流镜电路之间的第三电阻器,并且所述第二平滑电路包括耦合到所述第二二极管的负极的第二平滑电容器和设在所述第二二极管的负极与所述第二电流镜电路之间的第四电阻器。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的检测器电路,还包括输出电路,该输出电路输出所述差值电流的大小。
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