[发明专利]一种双功能低辐射镀膜玻璃及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种玻璃及其制作方法，更具体的说涉及一种利用白玻制作的低辐射镀膜玻璃及制作方法。

背景技术

低辐射镀膜玻璃具有低传热性能和较低的遮阳系数，专利申请号为CN201110060204.0、申请日为2011年03月13日的中国发明专利公开了一种可钢化的低辐射镀膜玻璃及其制备方法，在玻璃基片的表面从下至上依次设置电介质层I、电介质层II、金属阻挡层I、银层、金属阻挡层II、电介质层III和电介质层IV；电介质层I与玻璃基片的表面相连，电介质层I和电介质层IV为氧化硅层,电介质层II和电介质层III为氧化锌的锡酸盐层,金属阻挡层I和金属阻挡层II为镍铬合金层。但是，其遮阳系数在0.6左右，遮阳效果差。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的不足之处，提供一种双功能低辐射镀膜玻璃及其制作方法，其以白玻为基片，制作出来的镀膜玻璃具有低传热系数和低遮阳系数。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：一种双功能低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片上依次设有氮化硅层、氧化锌铝层、金属钛层、金属银层、氧化镍铬层、氧化钛层及氮化硅保护层。

作为优选，所述玻璃基片的厚度为6-10mm，所述氮化硅层的厚度37-43nm，所述氧化锌铝层的厚度为17-24nm，所述金属钛层的厚度为7-10nm，所述金属银层的厚度为11.5-12.5nm、所述氧化镍铬层的厚度为11-14nm，所述氧化钛层的厚度为13-17nm，所述氮化硅保护层的厚度为61-69nm。

作为优选，所述玻璃基片的厚度为6mm。

作为优选，所述氮化硅层的厚度39nm，所述氧化锌铝层的厚度为19nm，所述金属钛层的厚度为8nm，所述金属银层的厚度为12nm，所述氧化镍铬层的厚度为13nm，所述氧化钛层的厚度为15nm，所述氮化硅保护层的厚度为64nm。

一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，包括以下步骤： 

a）：将6-10mm厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净，然后将离线高真空磁控溅射设备的真空度设置在10^-3Pa，线速度设置为1.7-2.1m/min；

b）：将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为54-56KW，在玻璃基片上溅射第一层37-43nm的氮化硅层；

c）：设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为16-20KW，在玻璃基片上溅射第二层17-24nm的氧化锌铝层；

d）：设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3.5-4.0KW，在玻璃基片上溅射第三层7-10nm金属钛层；

e）：设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为10-12.5KW，在玻璃基片上溅射第四层11.5-12.5nm的金属银层；

f）：设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5.6-6.2KW，在玻璃基片上溅射第五层11-14nm的氧化镍铬层；

g）：设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为70-74KW，在玻璃基片上溅射第六层13-17nm的金属钛层；

h）：设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为80-84KW，在玻璃基片上溅射第七层61-69nm的氮化硅保护层。

作为优选，所述步骤a）中，所述玻璃基片的厚度为6mm；

所述步骤b）中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为55KW，在玻璃基片上溅射第一层39nm的氮化硅层；

所述步骤c）中，设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为17.5KW，在玻璃基片上溅射第二层19nm的氧化锌铝层；

所述步骤d）中，设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3.8KW，在玻璃基片上溅射第三层8nm金属钛层；

所述步骤e）中，将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为11KW，在玻璃基片上溅射第四层12nm的金属银层；

所述步骤f）中，设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5.8KW，在玻璃基片上溅射第五层13nm的氧化镍铬层；

所述步骤g）中，设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为72KW，在玻璃基片上溅射第六层15nm的金属钛层；

所述步骤h）中，设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为81W，在玻璃基片上溅射第七层64nm的氮化硅保护层。

作为优选，所述步骤a）中，线速度设置为2.0-2.1m/min。 

作为优选，所述步骤a）中，线速度设置为2.1m/min。