[发明专利]一种双功能低辐射镀膜玻璃及其制作方法

权利要求书

1.一种双功能低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片（1），其特征在于：所述玻璃基片（1）上依次设有氮化硅层（2）、氧化锌铝层（3）、金属钛层（4）、金属银层（5）、氧化镍铬层（6）、氧化钛层（7）及氮化硅保护层（8）。

2.根据权利要求1所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片（1）的厚度为6-10mm，所述氮化硅层（2）的厚度37-43nm，所述氧化锌铝层（3）的厚度为17-24nm，所述金属钛层（4）的厚度为7-10nm，所述金属银层（5）的厚度为11.5-12.5nm，所述氧化镍铬层（6）的厚度为11-14nm，所述氧化钛层（7）的厚度为13-17nm，所述氮化硅保护层（8）的厚度为61-69nm。

3.根据权利要求2所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片（1）的厚度为6mm。

4.根据权利要求3所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述氮化硅层（2）的厚度39nm，所述氧化锌铝层（3）的厚度为19nm，所述金属钛层（4）的厚度为8nm，所述金属银层（5）的厚度为12nm，所述氧化镍铬层（6）的厚度为13nm，所述氧化钛层（7）的厚度为15nm，所述氮化硅保护层（8）的厚度为64nm。

5.一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步骤： 

a）：将6-10mm厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净，然后将离线高真空磁控溅射设备的真空度设置在10^-3Pa，线速度设置为1.7-2.1m/min；

b）：将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为54-56KW，在玻璃基片上溅射第一层37-43nm的氮化硅层（2）；

c）：设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为16-20KW，在玻璃基片上溅射第二层17-24nm的氧化锌铝层（3）；

d）：设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3.5-4.0KW，在玻璃基片上溅射第三层7-10nm金属钛层（4）；

e）：设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为10-12.5KW，在玻璃基片上溅射第四层11.5-12.5nm的金属银层（5）；

f）：设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5.6-6.2KW，在玻璃基片上溅射第五层11-14nm的氧化镍铬层（6）；

g）：设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为70-74KW，在玻璃基片上溅射第六层13-17nm的金属钛层（7）；

h）：设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为80-84KW，在玻璃基片上溅射第七层61-69nm的氮化硅保护层（8）。

6.根据权利要求5所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于：

所述步骤a）中，所述玻璃基片的厚度为6mm；

所述步骤b）中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为55KW，在玻璃基片上溅射第一层39nm的氮化硅层（2）；

所述步骤c）中，设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为17.5KW，在玻璃基片上溅射第二层19nm的氧化锌铝层（3）；

所述步骤d）中，设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3.8KW，在玻璃基片上溅射第三层8nm金属钛层（4）；

所述步骤e）中，将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为11KW，在玻璃基片上溅射第四层12nm的金属银层（5）；

所述步骤f）中，设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5.8KW，在玻璃基片上溅射第五层13nm的氧化镍铬层（6）；

所述步骤g）中，设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为72KW，在玻璃基片上溅射第六层15nm的金属钛层（7）；

所述步骤h）中，设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为81W，在玻璃基片上溅射第七层64nm的氮化硅保护层（8）。

7.根据权利要求5所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于：所述步骤a）中，线速度设置为2.0-2.1m/min。 

8.根据权利要求7所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于：所述步骤a）中，线速度设置为2.1m/min。