[发明专利]具有寻址及相邻位的存储单元的集成电路及其操作方法

权利要求书

1.一种集成电路，包含：

一非易失存储单元，包括：

一第一电流负载终端，一第二电流负载终端及一栅极；

一第一储存部分邻近该第一电流负载终端，并且储存第一数据；及

一第二储存部分邻近该第二电流负载终端，并且储存第二数据；

控制电路施加一读取编排偏压至该第一电流负载终端，该第二电流负载终端及该栅极，所施加的该读取编排偏压是读取该第一数据及该第二数据的其中之一，该读取编排偏压是根据该第一数据及该第二数据的其中之另一。

2.根据权利要求1所述的集成电路，

其中该第一数据决定在该读取编排偏压中的一第一电压数据，其施加至该第一电流负载终端以读取该第二数据；

其中该第二数据决定在该读取编排偏压中的一第二电压数据，其施加至该第二电流负载终端以读取该第一数据。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中响应由该第一储存部分的一第一阈值电压所代表的该第一数据超过一最小阈值电压，在该读取编排偏压中施加一第一电压至该第一电流负载终端以读取该第二数据；

响应由该第一储存部分的一第二阈值电压所代表的该第一数据没有超过一最小阈值电压，在该读取编排偏压中施加一第二电压至该第一电流负载终端以读取该第二数据；

该第一电压较该第二电压大。

4.根据权利要求3所述的集成电路，更包括：

一存储器，其中所储存数据位由代表该第一数据的一阈值电压是否超过一最小阈值电压来决定，其中该控制电路自该存储器读取该数据位以控制该读取编排偏压中是否要施加该第一电压或该第二电压至该第一电流负载终端来读取该第二数据。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中该第一数据及该第二数据的每一者是多个数据值中的一个，该多个数据值具有一第一总数的数据值，该多个数据值由多个编程阈值电压范围代表，该多个编程阈值电压范围具有一第二总数的编程阈值电压范围，该第二总数大于该第一总数。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中该第一数据及该第二数据的每一者是多个数据值中的一个，该多个数据值由多个编程阈值电压范围代表，该多个数据值中的一个数据值由该多个编程阈值电压范围中的多个编程阈值电压范围代表。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中该第一数据及该第二数据的每一者是多个数据值中的一个，该多个数据值由多个编程阈值电压范围代表，该多个数据值中的一个数据值由该多个编程阈值电压范围中的多个编程阈值电压范围代表，该第一数据由根据该第二数据的该多个编程阈值电压范围中的一特定者代表。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中该第一储存部分及该第二储存部分是一氮化硅储存层中的不同部分。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中该第一数据及该第二数据的每一者是多重位。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中于根据该第一数据及该第二数据的另一者施加该读取编排偏压之前，一读取操作决定该第一数据及该第二数据的另一者。

11.一种集成电路，包含：

一非易失存储单元，包括：

一第一电流负载终端，一第二电流负载终端及一栅极；

一第一储存部分邻近该第一电流负载终端，并且储存第一数据；及

一第二储存部分邻近该第二电流负载终端，并且储存第二数据；

控制电路施加一编程验证编排偏压至该第一电流负载终端，该第二电流负载终端及该栅极，所施加的该编程验证编排偏压是编程验证该第一数据及该第二数据的其中之一，该编程验证编排偏压根据该第一数据及该第二数据的其中之另一。

12.根据权利要求11所述的集成电路，：

其中该第一数据决定在该编程验证编排偏压中施加至该第一电流负载终端的一第一电压数据以编程验证该第二数据；

其中该第二数据决定在该编程验证编排偏压中施加至该第二电流负载终端的一第二电压数据以编程验证该第一数据。