[发明专利]发光组件

权利要求书

1.一种发光组件，其特征在于，包括：

一基板；

多个发光结构，配置于该基板上，各该发光结构包括：

一辅助电极，配置于该基板上；

一第一绝缘层，配置于该基板上并覆盖该辅助电极；

一第一电极，配置于该第一绝缘层上，且适于作为阳极；

一第二绝缘层，配置于该第一绝缘层上，且具有一第一开口暴露出该第一电极；

一第一有机发光层，配置于该第一开口中以连接该第一电极；

一阴极，配置于该第一有机发光层上；

至少一导通结构，贯穿该第一绝缘层与该第二绝缘层，并连接该阴极与该辅助电极；以及

一封闭环形结构，配置于该第二绝缘层上且围绕该阴极，其中该封闭环形结构的厚度大于该阴极的厚度。

2.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，还包括：

一导电层，位于该封闭环形结构上，其中该导电层与该阴极。

3.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该辅助电极是位于该第一电极的下方。

4.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层具有一第一贯孔，该第二绝缘层具有一第二贯孔连通该第一贯孔，且该导通结构具有一位于该第一贯孔中的第一导电插塞与一位于该第二贯孔中的第二导电插塞。

5.根据权利要求4所述的发光组件，其特征在于，该第一导电插塞与该第一电极是于同一沉积制程中形成，该第二导电插塞与该阴极是于同一沉积制程中形成。

6.根据权利要求4所述的发光组件，其特征在于，还包括：

一厚金属层，配置于该第二贯孔内，且该厚金属层的厚度大于或等于该阴极的厚度。

7.根据权利要求6所述的发光组件，其特征在于，该厚金属层是位于该第二导电插塞上。

8.根据权利要求6所述的发光组件，其特征在于，该第二导电插塞是位于该厚金属层上。

9.根据权利要求6所述的发光组件，其特征在于，还包括：

一导电层，位于该封闭环形结构上，其中该导电层与该厚金属层是于同一沉积制程中形成。

10.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该封闭环形结构的截面形状是呈倒梯状。

11.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该发光结构还包括：

一第二电极，配置于该第一绝缘层上且与该第一电极彼此分离，该第二电极适于作为阳极，其中该第二绝缘层更具有一第二开口暴露出该第二电极；以及

一第二有机发光层，配置于该第二开口中以连接该第二电极，其中该阴极亦配置于该第二有机发光层上，

其中一第一发光单元包括该第一电极、该第一有机发光层、与该阴极，一第二发光单元包括该第二电极、该第二有机发光层、与该阴极。

12.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，还包括：

一上盖，配置于该阴极上，且该封闭环形结构是支撑于该上盖与该第二绝缘层之间，以于该上盖与该阴极之间形成一封闭空腔。

13.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该些发光结构中的至少二个发光结构的辅助电极相连。

14.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该些发光结构中的至少二个发光结构的辅助电极彼此电性绝缘。

15.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该辅助电极与该第一电极的材质包括一透明导电材料。

16.根据权利要求15所述的发光组件，其特征在于，该阴极为一透明膜层。

17.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该阴极为一透明膜层。

18.根据权利要求17所述的发光组件，其特征在于，该第一电极的材质包括一高反射性材料。

19.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该发光组件为一主动式有机发光二极管组件。

20.根据权利要求19所述的发光组件，其特征在于，还包括：

一第一薄膜晶体管，配置于该基板上；以及

一第二薄膜晶体管，配置于该基板上，且该第一薄膜晶体管的一第三电极是电性连接该第二薄膜晶体管的一栅极，该第三电极为该第一薄膜晶体管的一源极或是一漏极，该第四电极与该第五电极为该第二薄膜晶体管的一源极与一漏极其中之一与另一，该第五电极与该第一电极电性连接。