[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其使用在具有第1导电类型的第1半导体层上形成具有第2导电类型的第2半导体层而成的半导体发光功能层，其中，该第2导电类型是与所述第1导电类型相反的导电类型，在所述半导体发光功能层中的形成有所述第2半导体层的一侧的主面上具有：与所述第2半导体层直接接触的透明电极、形成于该透明电极上的绝缘层、形成于该绝缘层上且在设于前記绝缘层中的第1开口部中与所述第1半导体层直接接触的第1电极层、以及形成于所述绝缘层上且在设于所述绝缘层中的第2开口部中与所述透明电极直接接触的第2电极层，该发光元件俯视观察为大致矩形形状，该发光元件的特征在于，

所述第1开口部和所述第2开口部具有分别沿着与所述大致矩形形状的对置的2边平行延伸的2条直线形成的部分，在所述透明电极中，在所述2条直线之间形成有在与所述2条直线垂直的方向上延伸的多个透明电极开口部。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述第1电极层和所述第2电极层分别具有：分别与所述2条直线平行延伸的呈线状形态的线状部、以及宽度比该线状部宽的焊盘部。

3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，

所述2边是沿着所述大致矩形形状的长度方向的2边，所述第1开口部和所述第2开口部分别形成于所述2边侧的端部侧。

4.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，

所述第1开口部和所述第2开口部中的一方形成于被所述2边夹着的中央部，所述第1开口部和所述第2开口部中的另一方形成于所述2边侧的两端部侧。

5.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于，

所述第1电极层中的焊盘部和所述第2电极层中的焊盘部形成于所述第1开口部和所述第2开口部中的一方延伸的线上。

6.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于，

所述第1电极层中的焊盘部和所述第2电极层中的焊盘部分别形成于所述第1开口部和所述第2开口部中的一方延伸的线上的与所述2边垂直的2边侧的两端部侧，

所述第1开口部和所述第2开口部中的另一方在与所述第1电极层和所述第2电极层的一方中的设有所述焊盘部的一侧对置的边侧，具有沿着该对置的边侧的弯曲部，其中，所述第1电极层和所述第2电极层的一方与所述第1开口部和所述第2开口部中的一方直接连接。

7.根据权利要求6所述的发光元件，其特征在于，

所述第1开口部和所述第2开口部中的一方的前端部与所述弯曲部的前端部之间的距离，与从设有所述弯曲部的所述第1开口部和所述第2开口部中的另一方中的沿着与所述大致矩形形状的对置的2边平行延伸的2条直线形成的部分到所述第1开口部和所述第2开口部的中的一方的间隔大致相等。

8.根据权利要求2～7中的任意一项所述的发光元件，其特征在于，

所述第1半导体层通过外延生长而形成于衬底上。

9.根据权利要求8所述的发光元件，其特征在于，

在所述线状部延伸的一个方向的延长线上的所述衬底上，隔着所述衬底上的局部地去除半导体层后的元件分离区域形成有二极管，

所述第1电极层和所述第2电极层跨越所述元件分离区域而在形成有所述二极管的区域上延伸，使用所述半导体发光功能层形成的发光二极管和所述二极管以顺向变为反向的方式并联连接。

10.根据权利要求9所述的发光元件，其特征在于，

所述焊盘部在形成有所述二极管的区域上形成。

11.根据权利要求1～10中的任意一项所述的发光元件，其特征在于，

所述第1半导体层由n型氮化物半导体构成，所述第2半导体层由p型氮化物半导体构成。