[发明专利]用于绝缘体型衬底上的半导体的基础衬底的制造方法

权利要求书

1.一种基础衬底的制造方法，所述基础衬底用于在绝缘体型衬底上制造半导体，该方法包括以下步骤：

提供步骤a)，提供电阻率为500 Ohm.cm以上的硅衬底(1)，

清洁步骤b)，清洁所述衬底(1)的表面，以去除存在于所述衬底(1)的表面上的自然氧化物和/或掺杂物，

步骤c)，在所述衬底(1)上形成介电材料层(2)，

步骤d)，在所述介电材料层(2)上形成多晶硅层(3)，

所述方法的特征在于，步骤b)、c)和d)在同一个外壳(10)中依次实现。

2.根据权利要求1所述的基础衬底的制造方法，其特征在于，所述清洁步骤b)包括在还原性气氛中的热处理。

3.根据权利要求1或2中的一项所述的基础衬底的制造方法，其特征在于，所述介电材料为氧化硅。

4.根据权利要求3所述的基础衬底的制造方法，其特征在于，步骤c)包括在氧化气氛中对所述衬底(1)进行热处理。

5.根据权利要求4所述的基础衬底的制造方法，其特征在于，所述氧化气氛包括惰性气体和氧，氧含量在100ppm和5000ppm之间。

6.根据权利要求1至5中的一项所述的基础衬底的制造方法，其特征在于，步骤d)包括在温度低于或等于900℃时沉积多晶硅。

7.根据权利要求1至6中的一项所述的基础衬底的制造方法，其特征在于所述外壳(10)为外延框架。

8.根据权利要求1至6中的一项所述的基础衬底的制造方法，其特征在于，所述外壳(10)包括实现步骤b)的第一室(10A)、实现步骤c)的第二室(10B)和实现步骤d)的第三室(10C)，所述室经由与外部隔离的气锁(11A、11B)相连接。

9.根据权利要求1至8中的一项所述的基础衬底的制造方法，其特征在于，在步骤d)获得的衬底(1、2、3)用作在绝缘体型衬底上制造半导体的基础衬底。