[发明专利]电荷分享型像素结构

权利要求书

1.一种电荷分享型像素结构，其特征在于：所述电荷分享型像素结构包括：

一第一栅极线，提供一第一扫描信号；

一第二栅极线，提供一第二扫描信号；

一资料线，提供一资料信号；

一第一子像素，包括：

一第一晶体管，连接所述第一栅极线及所述资料线，并于接收来自所述第一栅极线的第一扫描信号时开启；及

一第一液晶电容，连接所述第一晶体管，并于所述第一晶体管开启时，接收来自所述资料线的资料信号而偏压至一第一灰阶电压；以及

一第二子像素，包括：

一第二晶体管，连接所述第一栅极线及所述资料线，并于接收来自所述第一栅极线的第一扫描信号时开启；

一第二液晶电容，连接所述第二晶体管，并于所述第二晶体管开启时，接收来自所述资料线的资料信号而而偏压至一第二灰阶电压；

一第三晶体管，连接一第一分压电容及所述第二栅极线，并于接收来自所述第二栅极线的第二扫描信号时开启；所述第三晶体管开启时，所述第一子像素的第一液晶电容通过与所述第一分压电容之间的电荷分享而改变其第一灰阶电压；以及

一顶栅电极，根据一偏压信号而改变所述第三晶体管的临界电压，进而调整所述第一液晶电容的第一灰阶电压的改变程度。

2.如权利要求1所述的电荷分享型像素结构，其特征在于：所述第二子像素另包括一连接所述第三晶体管的第二分压电容，所述第二分压电容与所述第一分压电容及第一液晶电容进行电荷分享。

3.如权利要求1所述的电荷分享型像素结构，其特征在于：进一步包括一第一像素电极、一第二像素电极及一共通信号线，其中所述第一像素电极连接所述第一晶体管的漏极；所述第二像素电极连接所述第二晶体管的漏极；所述共通信号线与第一像素电极构成一第一储存电容，且与所述第二像素电极构成一第二储存电容。

4.如权利要求3所述的电荷分享型像素结构，其特征在于：所述顶栅电极为一透明导电层，且与所述第三晶体管局部绝缘重叠。

5.如权利要求4所述的电荷分享型像素结构，其特征在于：所述顶栅电极、所述第一像素电极及所述第二像素电极由同一透明导电层通过光刻工艺所形成。

6.如权利要求4所述的电荷分享型像素结构，其特征在于：所述顶栅电极通过一电性导通孔连接至一金属信号线。

7.如权利要求6所述的电荷分享型像素结构，其特征在于：所述金属信号线为所述共通信号线。

8.如权利要求6所述的电荷分享型像素结构，其特征在于：所述金属信号线连接一直流信号源。

9.如权利要求3所述的电荷分享型像素结构，其特征在于：所述顶栅电极为一非透明的导电层，且连接一直流信号源。