[发明专利]成膜方法及溅射装置无效
| 申请号： | 201210074252.X | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103320754A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 川又由雄;宇都宫信明;伊藤昭彦 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 周善来;李雪春 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方法 溅射 装置 | ||
1.一种成膜方法，是在真空槽内使衬底和靶相对，通过溅射法在前述衬底上成膜的成膜方法，其特征在于，
将前述靶的表面温度控制为比常温高的规定温度，
与未使前述靶的表面温度成为前述规定温度时相比，在前述衬底上形成高电阻的被膜。
2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，在前述衬底上形成前述被膜之前，将前述靶的表面温度调节至前述规定温度。
3.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，前述被膜是不连续被膜。
4.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，通过使在包括前述靶的电极内流动的介质的温度比常温高的装置，或者利用加热体加热前述靶的装置来加热前述靶。
5.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，求出前述靶的表面温度与前述介质或前述加热体的设定温度、包括前述真空槽内的气体压力、气体种类、针对前述靶的施加电力、针对前述靶的电力施加时间的成膜条件、前述靶的材质及形状的关系，
根据前述关系进行控制，使前述靶的表面温度变为前述规定温度。
6.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，将前述靶的表面温度调节至常温以上且前述靶材料的熔点以下。
7.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，前述被膜由从由锡(Sn)、铟(In)、银(Ag)、包含它们中至少任意一种的合金或氧化物组成的组中选择的任意一种构成。
8.一种溅射装置，其特征在于，可实现前述权利要求1～7中任意一项所述的成膜方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芝浦机械电子株式会社，未经芝浦机械电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210074252.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
