[发明专利]平面场开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器及其修复方法有效

专利信息
申请号: 201210073021.7 申请日: 2012-03-19
公开(公告)号: CN103293796A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 岳明彦;曹兆铿 申请(专利权)人: 上海中航光电子有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 平面 开关 控制 模式 薄膜晶体管 液晶显示器 及其 修复 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示器技术领域,尤其涉及一种平面场开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器及其修复方法。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD,Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display)的制作工艺过程中,由于成膜质量的好坏、环境的洁净度、器件本身的设计以及设备本身等问题,不可避免的会产生数据线断线问题,进而导致像素信号不能正常驱动、像素点缺陷等问题。

对于平面场开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器(In-Plane SwitchLiquid Crystal Display,IPS-LCD或Fringe Field Switch Liquid CrystalDisplay,FFS-LCD)而言,其在解决数据线断线问题时,常采用在显示区外设置环形修复线的方法。参考图1,图1为现有技术中常见的一种平面场开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器的结构示意图,图中中间区域为显示区(Active Area)1,显示区1内设置有多条竖直的数据线2,显示区1外围设置有环形的修复线3,所述修复线3连接可产生修复信号的驱动芯片。当某一数据线上出现断线情况时,可通过镭射熔接工艺将该断线的数据线在显示区1外与相应的修复线3熔接(图中示出了断线的数据线两端的两个熔接点),之后由相应驱动芯片产生的修复信号通过环形修复线后被传送到数据线的断线处,实现对断线处的修复。

现有技术中由于在显示区外围设置环形修复线,因此,修复信号需通过外围的环路被传送到断线处,而修复信号经过较长路线的传送后将使得负载增大,故最终到达断线处的修复信号容易失真,从而使得该薄膜晶体管液晶显示器的修复效果不良。

除此之外,某些平面场开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器通常只有一颗驱动芯片且所述驱动芯片没有修复信号输出,因此,对于上述驱动芯片无修复信号输出的平面场开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器,不能采用上述环形修复线进行断线修复。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供了一种平面场开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器及其修复方法,该液晶显示器在进行断线修复时,无需在显示区外围设置产生修复信号的驱动芯片,且修复良率较高。

为解决上述问题,本发明实施例提供了如下技术方案:

一种平面场开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器,包括:

显示区,所述显示区内设置有多条水平的扫描线和多条竖直的数据线,任意相邻两条扫描线和任意相邻两条数据线交叉围成一个像素单元;

每一像素单元内均设置有一个薄膜晶体管,将显示区平均分为左右两个区域,位于显示区左侧区域内的薄膜晶体管均位于相应像素单元的左侧,位于显示区右侧区域内的薄膜晶体管均位于相应像素单元的右侧,位于显示区中心不连接任何薄膜晶体管的空置线为修复线,所述修复线与所述数据线平行;

设置在显示区外顶端的第一连接线和设置在显示区外底端的第二连接线,所述第一连接线和第二连接线均与扫描线平行,所述第一连接线和第二连接线与各数据线和修复线均交叠。

优选的,所述修复线与数据线位于同一层。

优选的,所述显示区内左侧和右侧区域的数据线均连接数据线驱动电路,所述显示区中心的修复线不连接数据线驱动电路。

优选的,位于显示区左侧区域的各像素单元,其内的薄膜晶体管均位于相应像素单元的左下角,位于显示区右侧区域的各像素单元,其内的薄膜晶体管均位于相应像素单元的右下角。

优选的,每一像素单元内均包括一像素电极;每一像素单元内的薄膜晶体管均包括栅极、源极和漏极;且所述栅极、源极和漏极分别连接相应像素单元内的扫描线、数据线和像素电极。

一种平面场开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器的修复方法,该平面场开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器为上述任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器,该修复方法包括:

找出显示区内断线的数据线;

在显示区外顶端通过镭射修补熔接方式将所述断线的数据线和修复线分别与第一连接线熔接,在显示区外底端通过镭射修补熔接方式将所述断线的数据线和修复线分别与第二连接线熔接。

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