[发明专利]低电压驱动缓冲电路芯片

权利要求书

1.一种低电压驱动缓冲电路芯片，其特征是：第一、第二和第三晶体管各有一个基极，发射极和集电极，晶体管属于NPN或PNP两种类型，第一、第二晶体管是一种类型而第三晶体管是另外一种类型，电源连接第一和第二端，第一晶体管的基极连接输入端，第一晶体管的发射极通过一个第一电阻连接第一端，电流源信号连接在第一晶体管的集电极与加载到第一晶体管的第二端之间，第一晶体管的集电极连接第二晶体管的基极，第二晶体管的发射极通过第二电阻连接第一端，第二晶体管的集电极与第二端耦合，第二晶体管的发射极连接第三晶体管的基极，第三晶体管的集电极同时连接输出端和第一晶体管的发射极，第三晶体管的发射极通过第三电阻连接所述第二端，以便于一个输入信号作用于输入端在输出端处产生一个相应的信号。

2.根据权利要求1所述的低电压驱动缓冲电路芯片，其特征是：第二晶体管的集电极直接连接所述第三晶体管的发射极，第二晶体管的集电极和第三晶体管的发射极通过第三电阻同时连接第二端。

3.根据权利要求1所述的低电压驱动缓冲电路芯片，其特征是：第二和第三电阻实质阻值相等。

4.根据权利要求1所述的低电压驱动缓冲电路芯片，其特征是：第一和第二晶体管是NPN管而第三晶体管是一个PNP管，或者第一和第二晶体管是PNP管而第三晶体管是一个NPN管。

5.根据权利要求1所述的低电压驱动缓冲电路芯片，其特征是：一个电源由一单独的电池和一连接到电池上的电压调节器组成，电池拥有一种电压，它可以下降到接近电池的最终寿命值一伏特，电源的第一和第二终端提供一个可调节电压，第一、第二和第三晶体管每个都有一个基极，发射极，和集电极，晶体管从NPN或PNP管中选择，第一和第二晶体管是其中一种而第三晶体管是另一种，输入端连接第一晶体管的基极，第一晶体管的发射极通过一个第一电阻连接第一端，电源连在第一晶体管的集电极和用于加载到第一晶体管的第二端之间，第一晶体管的集电极连接第二晶体管的基极，第二晶体管的发射极通过第二电阻连接第一端，第二晶体管的集电极与第二端耦合，第二晶体管的发射极连接第三晶体管的基极，第三晶体管的集电极同时连接输出端和第一晶体管的发射极，第三晶体管的发射极通过第三电阻连接第二端，以便一个输入信号作用于输入端，将在输出端产生一个相应信号。

6.根据权利要求5所述的低电压驱动缓冲电路芯片，其特征是：第二晶体管的集电极直接连接第三晶体管的发射极，第二晶体管的集电极和第三晶体管的发射极同时通过第三电阻连接第二端。