[发明专利]一种谐振器调谐结构有效
申请号: | 201210067857.6 | 申请日: | 2012-03-15 |
公开(公告)号: | CN103311633A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 王清源;谭宜成;莫坤山 | 申请(专利权)人: | 成都赛纳赛德科技有限公司 |
主分类号: | H01P7/06 | 分类号: | H01P7/06 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 梁田 |
地址: | 610000 *** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 谐振器 调谐 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种谐振器调谐结构,具体地说,是涉及一种用于微波器件特性调节的介质谐振腔调谐结构。
背景技术
在对微波器件进行调谐的时候,通常会用到调谐螺钉。但普通的调谐螺钉的调谐灵敏度有限,且经常出现调谐螺钉与被介质谐振腔调谐结构之间的间隙很小的情况,这加大了调谐的难度,且这种情况还会带来稳定性问题。在微带结构、介质谐振腔和介质振荡器等器件中,由于这些器件中电磁场能量集中在器件内,使一般调谐螺钉的对电磁场的影响很小,调谐效果很差。
发明内容
本发明的主要优点,利用位于调谐螺钉前端、介电常数或导磁率很高的介质材料,明显地改变微波器件附近的电磁场分布,从而更好地对微波器件的特性进行调节。
本发明的目的在于提供一种结构简单、加工简单、调试方便的介质谐振腔调谐结构。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案为:一种谐振器调谐结构,包括金属空腔、以及从金属空腔外伸入金属空腔内的调谐支撑体、以及设置在调谐支撑体伸入到金属空腔内一端的调谐介质体;还包括与的金属空腔内壁连接的介质基片、以及与介质基片连接的导体带和谐振腔,调谐介质体位于谐振腔的上方。
所述调谐支撑体为柱状结构;所述调谐介质体与调谐支撑体的交界面为平面。
所述调谐介质体与调谐支撑体之间还设置有薄金属片,并且调谐介质体、薄金属片、调谐支撑体三者之间的交界面为互相平行的平面;所述调谐介质体远离调谐支撑体的一面也设置有薄金属片。
所述调谐支撑体在远离金属空腔内部的一端设置有螺纹;调谐支撑体在远离金属空腔内部的一端还设置有固定装置,所述调谐支撑体通过螺纹与固定装置配合,使得调谐支撑体在金属空腔内上行移动调节,并由固定装置固定。
在所述调谐支撑体与调谐介质体之间还设置有柱状金属台,所述柱状金属台与调谐支撑体、调谐介质体的连接界面均为平面。
所述金属空腔为开口的空腔或封闭的空腔。
所述调谐介质体的介电常数或/和导磁率大于30。
所述调谐支撑体为介电常数小于3的介质材料或者导体。
所述介质谐振腔位于导体带侧面,且介质谐振腔与导体带之间存在间隙;介质谐振腔为底部与介质基片相连且相对介电常数或相对导磁率大于10的任意形状介质体。
所述谐振腔为薄导体片。
在本发明中,本发明通过在调谐支撑体伸入到金属空腔内一端设置调谐介质体。借助调谐介质体的作用,可以改变其电磁场分布,从而对微波器件的特性进行调节。一般在空气中的电磁波的波长比较大,增加了调谐介质体后,改变了电磁波的传输波长。以此可以改变其电磁场分布,对电磁场的影响很大,调谐效果很好,增加调节的灵敏度。谐振腔在某些频率点起到谐振作用,介质基片具备对谐振腔和导体带做支撑作用,谐振腔和导体带谐振腔构成耦合结构,导体带把能量耦合到谐振腔。
将调谐支撑体设置有柱状结构方便加工生产、以及方便调谐支撑体上下调节,使得可随时改变对电磁场的影响。
将调谐介质体、薄金属片、调谐支撑体三者之间的交界面为互相平行的平面。以此他们三者的结构设计简单、方便批量生产。同时将三者之间的交界面设置成互相平行的平面,可方便他们三者之间的连接。减少加工时间和加工难度。
由于一般采用的调谐介质体为现有市场上的标准产品,因此一般标准的调谐介质体一般为了方便使用者焊接,其一端都设置有薄金属片,为了在此基础上设置成电容,本发明特在调谐介质体远离调谐支撑体的一面也设置有薄金属片,这样调谐介质体的上下两端均设置有薄金属片,以此形成电容体结构,从而增加对电磁场的影响效果。进一步的增加调节的灵敏度。
本发明设置的调谐支撑体通过螺纹与固定装置配合,通过旋转固定装置,可使得调谐支撑体上下移动,方便对电磁波的人为的主观调节。
当调谐支撑体横切面比较小的时候,调谐介质体比较大的时候,此时,要想将调谐支撑体与调谐介质体进行焊接,因此有一定的难度,为此,本发明特在调谐支撑体与调谐介质体之间设置有柱状金属台,通过中间体的形式使得调谐支撑体与调谐介质体能快速焊接在一起,在不会影响本发明的电气性能的情况下,增加柱状金属台,可方便连接,增加生产效率。
当用到天线设计领域的时候,采用金属空腔为开口的空腔;当用到滤波器、耦合器领域的时候,采用金属空腔为封闭的空腔。
所述调谐介质体的介电常数或/和导磁率大于30。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都赛纳赛德科技有限公司,未经成都赛纳赛德科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210067857.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。