[发明专利]一种谐振器调谐结构

权利要求书

1.一种谐振器调谐结构，其特征在于：包括金属空腔（1）、以及从金属空腔（1）外伸入金属空腔（1）内的调谐支撑体（2）、以及设置在调谐支撑体（2）伸入到金属空腔（1）内一端的调谐介质体（3）；还包括与的金属空腔（1）内壁连接的介质基片（8）、以及与介质基片（8）连接的导体带（9）和谐振腔（7），调谐介质体（3）位于谐振腔（7）的上方。

2.根据权利要求1所述的一种谐振器调谐结构，其特征在于，所述调谐支撑体（2）为柱状结构；所述调谐介质体（3）与调谐支撑体（2）的交界面为平面。

3.根据权利要求1所述的一种谐振器调谐结构，其特征在于，所述调谐介质体（3）与调谐支撑体（2）之间还设置有薄金属片（4），并且调谐介质体（3）、薄金属片（4）、调谐支撑体（2）三者之间的交界面为互相平行的平面；所述调谐介质体（3）远离调谐支撑体（2）的一面也设置有薄金属片（4）。

4.根据权利要求1所述的一种谐振器调谐结构，其特征在于，所述调谐支撑体（2）在远离金属空腔（1）内部的一端设置有螺纹；调谐支撑体（2）在远离金属空腔（1）内部的一端还设置有固定装置（6），所述调谐支撑体（2）通过螺纹与固定装置（6）配合，使得调谐支撑体（2）在金属空腔（1）内上行移动调节，并由固定装置（6）固定。

5.根据权利要求1所述的一种谐振器调谐结构，其特征在于，在所述调谐支撑体（2）与调谐介质体（3）之间还设置有柱状金属台（5），所述柱状金属台（5）与调谐支撑体（2）、调谐介质体（3）的连接界面均为平面。

6.根据权利要求1－5中任意一项所述一种谐振器调谐结构，其特征在于，所述金属空腔（1）为开口的空腔或封闭的空腔。

7.根据权利要求1－5中任意一项所述一种谐振器调谐结构，其特征在于，所述调谐介质体（3）的介电常数或/和导磁率大于30。

8.根据权利要求1－5中任意一项所述一种谐振器调谐结构，其特征在于，所述调谐支撑体（2）为介电常数小于3的介质材料或者导体。

9.根据权利要求1－5中任意一项所述的一种谐振器调谐结构，其特征在于，所述介质谐振腔（7）位于导体带（9）侧面，且介质谐振腔（7）与导体带（9）之间存在间隙；介质谐振腔（7）为底部与介质基片（8）相连且相对介电常数或相对导磁率大于10的任意形状介质体。

10.根据权利要求1－5中任意一项所述的一种谐振器调谐结构，其特征在于，所述谐振腔（7）为薄导体片。