[发明专利]肖特基势垒二极管有效
| 申请号： | 201210067432.5 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102683430A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 前山雄介;大泽良平;荒木克隆;渡部善之 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 | ||
1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，具有：
由碳化硅构成的基板；
包含在所述基板内，由与该基板的第一面邻接的n型半导体构成的第一半导体层；
与该第一半导体层肖特基接合的金属层；
与该金属层的周缘区域相接，向外侧扩展的第一绝缘层；
沿该第一绝缘层和所述金属层接触的周缘区域，由在所述第一半导体层内形成的p型半导体构成的护圈层；
从该护圈层向所述基板的中心区域，在所述第一半导体层内，由在每个第1间隔形成的多个p型半导体构成的第二半导体层；
位于所述基板的第一面上，在所述护圈层和与该护圈层邻接的所述第二半导体层之间形成的第二绝缘层；
位于所述基板的第一面上，在相互邻接的所述第二半导体层之间形成的第三绝缘层。
2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于：
其中，所述第二半导体层由P+型半导体区域和P-型半导体区域构成。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的肖特基势垒二极管，其特征在于：
其中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层及所述第三绝缘层，具有将与所述第一半导体层重合形成的均一扩展的绝缘体进行图形化的结构。
4.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于：
其中，所述第一绝缘层，是由半导体氧化物构成。
5.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于：
其中，还具有位于所述第一面上、与所述第二半导体层接合的欧姆电极。
6.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于：
其中，所述第二绝缘层在平视下包围所述第三绝缘层、所述第一绝缘层在平视下包围所述第二绝缘层。
7.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于：
其中，所述第一绝缘层覆盖所述护圈层的外缘部分，所述金属层与所述护圈层的内缘部分相接。
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