[发明专利]一种用于全光器件的Ge-Sb-Se非晶薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种用于全光器件的Ge-Sb-Se非晶薄膜的制备方法，其特征在于：采用纯度为5N的高纯圆块状Ge_xSb_ySe_1-x-y（其中0<x≤0.38,0.05<y≤0.3）玻璃作为靶材，采用磁控溅射装置，以高纯氩气为溅射工作气体，采用石英片或硅片为衬底材料进行表面沉积，具体步骤如下：

（1）在Ge_xSb_ySe_1-x-y（其中0<x≤0.38,0.05<y≤0.3）圆块状玻璃靶材背面，完全贴合一块与玻璃靶材直径相同，厚度为1mm的铜片，制得磁控溅射镀膜靶材；

（2）将衬底材料放入浓硫酸与双氧水的混合溶液中，超声清洗15分钟，然后放入无水乙醇中超声清洗15分钟，最后用去离子水多次超声清洗，取出后用5N级氮气吹干，放入溅射腔室，其中浓硫酸与双氧水混合体积比为1:4；

（3）将溅射腔室进行抽真空直至溅射腔室内真空度达到2×10^-4Pa以下时，向室内充入氩气至真空度为3×10^-2Pa，然后开启考夫曼离子枪，轰击衬底材料表面3分钟，对衬底材料进行等离子体清洗；

（4）继续向溅射腔室内充入氩气，控制溅射腔室内的工作气压为0.05Pa-3Pa，开启射频电源，待辉光稳定后，调节射频功率为20W-60W，预溅射10分钟；

（5）将衬底材料移至溅射靶位正上方，开启衬底转盘自转并将自转速率设定为5rpm，溅射沉积Ge-Sb-Se薄膜，沉积2-3小时后，制得Ge-Sb-Se非晶薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种用于全光器件的Ge-Sb-Se非晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述的在Ge-Sb-Se玻璃背面完全贴合一块与玻璃靶材直径相同，厚度为1mm的铜片，制得磁控溅射镀膜靶材。

3.根据权利要求1所述的一种用于全光器件的Ge-Sb-Se非晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤（4）中所述的工作气压为0.26Pa，射频功率45W。

4.根据权利要求1所述的一种用于全光器件的Ge-Sb-Se非晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤（5）溅射沉积结束后，向所述的溅射腔室内缓慢地充入5N级氮气破除真空后，从溅射腔室内取出Ge-Sb-Se非晶薄膜。