[发明专利]适用于清洗硅晶片的洗剂及用于清洗一硅晶片的方法无效
| 申请号： | 201210064009.X | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102719330A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 佘怡璇;徐志贤;卢厚德;王兴嘉 | 申请（专利权）人： | 达兴材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C11D10/02 | 分类号： | C11D10/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台中市中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用于 清洗 晶片 洗剂 用于 方法 | ||
1.一种适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于包含：
碱金属氢氧化物；
磷酸三钠；
阴离子型界面活性剂；以及
水。
2.如权利要求1所述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于：以该磷酸三钠的总量为100重量份计，该碱金属氢氧化物的含量范围为100重量份～1000重量份及该阴离子型界面活性剂的含量范围为10重量份～1000重量份。
3.如权利要求1所述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于：该洗剂的pH值范围为8～14。
4.如权利要求1所述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于：以该磷酸三钠的总量为100重量份计，该水的含量范围为2900重量份～19700重量份。
5.如权利要求1所述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于：该碱金属氢氧化物是选自于氢氧化钠、氢氧化钾或它们的一组合。
6.如权利要求1所述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于：还包含碱金属碳酸盐和/或碱金属碳酸氢盐。
7.如权利要求6所述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于：该碱金属碳酸盐和/或碱金属碳酸氢盐是选自于碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠，或它们的一组合。
8.如权利要求6所述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于：以该磷酸三钠的总量为100重量份计，该碱金属碳酸盐和/或碱金属碳酸氢盐的含量范围为50重量份～1000重量份。
9.如权利要求1所述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于：该阴离子型界面活性剂是磷酸酯盐。
10.如权利要求9所述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于：该磷酸酯盐是由一磷酸酯与胺化合物反应所制得或由一磷酸酯与碱金属反应所制得。
11.一种用于清洗一硅晶片的方法，其特征在于：是使该硅晶片与一如权利要求1所述的适用于清洗硅晶片的洗剂进行接触而完成。
12.如权利要求11所述的用于清洗一硅晶片的方法，其特征在于：该硅晶片是由单晶硅或多晶硅所构成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于达兴材料股份有限公司，未经达兴材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210064009.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
