[发明专利]微通道内利用低频间歇性磁场强化微混合的方法

权利要求书

1.一种利用低频间歇性磁场强化微混合的方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤一，采用电镀等微加工工艺，在微通道的一侧集成软磁体阵列，软磁体之间等距布置；

步骤二，在微通道内注入两股流体，两股流体具有相同的初速度和流量，一股为含有超顺磁磁珠的悬浮液，位于集成软磁阵列的对侧，一股为生化样品溶液，位于集成软磁体阵列的同侧；

步骤三，在芯片外施加间歇性的均匀磁场，该均匀磁场激发软磁体阵列后，软磁体会产生一个高梯度的磁场，两磁场叠加后使得微通道内磁珠受到的磁场力增强，并诱发两股流体的轴向运动和横向运动交替出现，从而达到强化混合的目的。

2.根据权利要求1所述的微通道内利用间歇性磁场强化微混合的方法，其特征是，所述的微通道一侧加工2-10个软磁体构成软磁体阵列，软磁体阵列厚度为10-100μm，宽度为50-100μm。

3.根据权利要求1或2所述的微通道内利用间歇性磁场强化微混合的方法，其特征是，所述微通道的宽度为100-200μm，长度为1-3mm。

4.根据权利要求1或2所述的微通道内利用间歇性磁场强化微混合的方法，其特征是，所述的软磁体材料为镍或镍铁合金，软磁体大小均为100×100μm，间距为50μm。

5.根据权利要求1所述的微通道内利用间歇性磁场强化微混合的方法，其特征是，所述流体的初速度在0.2mm/s～0.6mm/s之间变化。

6.根据权利要求1所述的微通道内利用间歇性磁场强化微混合的方法，其特征是，所述的磁珠悬浮液浓度为1×10¹⁶～2×10¹⁷个/m³。

7.根据权利要求1或6所述的微通道内利用间歇性磁场强化微混合的方法，其特征是，所述的磁珠悬浮液的质扩散系数为0.9×10^-11m²/s-1.7×10^-11m²/s之间。

8.根据权利要求1所述的微通道内利用间歇性磁场强化微混合的方法，其特征是，所述的间歇性的外加均匀磁场频率在0.5～20Hz之间变化。

9.根据权利要求1或8所述的微通道内利用间歇性磁场强化微混合的方法，其特征是，所述的间歇性的外加均匀磁场的大小为0.01T。

10.根据权利要求1所述的微通道内利用间歇性磁场强化微混合的方法，其特征是，连续流入微通道内的两股流体在经过混合后又连续的从微通道出口流出。