[发明专利]激光加工装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于在晶片的内部沿着间隔道形成变质层的激光加工装置，所述晶片在表面呈格子状地形成有多条间隔道，并且所述晶片在由多条间隔道划分出的多个区域形成有微电子机械系统(MEMS)等器件。

背景技术

在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面通过呈格子状地排列的、被称作间隔道的分割预定线划分出多个区域，在所述划分出的区域形成IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(Large Scale Integration：大规模集成电路)、微电子机械系统(MEMS)等器件。然后，通过沿着间隔道将半导体晶片切断来对形成有器件的区域进行分割，从而制造出一个个的器件。

上述沿着间隔道对晶片进行的切断通常利用被称作划片机(dicer)的切削装置来进行。该切削装置具备：卡盘工作台，其用于保持晶片等被加工物；切削构件，其具备用于对保持在所述卡盘工作台的被加工物进行切削的切削刀具；以及切削进给构件，其用于使卡盘工作台和切削构件相对地进行切削进给，该切削装置一边使切削刀具旋转并向由该切削刀具切削的切削部供给切削液，一边使卡盘工作台进行切削进给，由此，沿着晶片的间隔道进行切断。

可是，由于切削刀具具有大约20μm～30μm的厚度，因此划分器件的间隔道的宽度需要达到大约50μm。因此，存在下述问题：间隔道所占的面积比例升高，生产率较差。

另一方面，作为沿着间隔道分割晶片的方法，提出有下述方法：使波长相对于晶片具有透射性的脉冲激光光线将聚光点对准晶片的内部并沿着间隔道照射，在晶片的内部沿着间隔道连续地形成作为断裂起点的变质层，沿着形成有所述作为断裂起点的变质层而导致强度降低的间隔道施加外力，由此，沿着间隔道分割晶片。(例如，参照专利文献1。)

专利文献1：日本专利第3408805号公报

在晶片的内部沿着间隔道连续地形成作为断裂起点的变质层，沿着形成有所述作为断裂起点的变质层而导致强度降低的间隔道施加外力，从而分割晶片，作为该种方法，实施了下述的方法：从晶片的没有形成间隔道的背面侧将激光光线的聚光点定位在与间隔道对应的区域的内部并照射激光光线以形成变质层，然后将晶片的背面粘贴于切割带，对沿着间隔道在内部形成有变质层的晶片施加外力，由此来分割晶片。可是，在将沿着间隔道在内部形成有变质层的晶片粘贴于切割带时，存在着晶片沿着间隔道裂开的问题。

另一方面，通过实施下述方法可以避免上述问题：在晶片的背面粘贴在安装于环状框架的切割带的状态下，使激光光线从晶片的表面侧在间隔道的内部聚光来形成变质层，但是存在下述问题：激光光线的照射区域的宽度需要达到晶片的厚度的大约20％～30％，例如在形成有微电子机械系统(MEMS)的厚度为400μm的晶片中，需要100μm左右的间隔道宽度，晶片的设计方面的制约较大，生产率较差。

另外，如果采用下述方法能够消除上述问题：在晶片的表面粘贴在安装于环状框架的切割带的状态下，使激光光线从晶片的背面侧在间隔道的内部聚光来形成变质层，但是存在下述这样的问题：对于形成有麦克风、加速度传感器、压力传感器等由微电子机械系统(MEMS)构成的器件的晶片，如果将器件的表面粘贴于切割带，则粘着剂会附着于微电子机械系统(MSMS)而损伤器件。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种激光加工装置，无需增大间隔道宽度、也无需在晶片的表面粘贴切割带就能够在晶片的内部沿着间隔道形成变质层。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的激光加工装置，所述激光加工装置用于沿着间隔道向晶片的内部照射激光光线以在晶片的内部沿着间隔道形成变质层，所述晶片在表面呈格子状地形成有多条间隔道，并且所述晶片在由所述多条间隔道划分出的多个区域形成有器件，

所述激光加工装置的特征在于，

所述激光加工装置具备：卡盘工作台，所述卡盘工作台具备晶片保持部，所述晶片保持部用于对粘贴在安装于环状框架的切割带的晶片进行保持；激光光线照射构件，所述激光光线照射构件具备聚光器，所述聚光器用于照射波长相对于保持在所述卡盘工作台的晶片和所述切割带具有透射性的激光光线；以及移动构件，所述移动构件用于使所述卡盘工作台与所述聚光器相对移动，

所述卡盘工作台的所述晶片保持部由透明部件形成，

所述卡盘工作台被构成为：使所述晶片保持部的所述保持面位于下侧地对粘贴于切割带的晶片进行保持，