[发明专利]一种带低能电子束装置的真空压力浸渍方法及设备有效

专利信息
申请号: 201210054783.2 申请日: 2012-03-05
公开(公告)号: CN102553805A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 姜其斌;邓青山 申请(专利权)人: 株洲时代新材料科技股份有限公司
主分类号: B05D3/14 分类号: B05D3/14;B05D1/18;B05C3/02;B05C11/00
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所 31251 代理人: 王法男
地址: 412007 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 低能 电子束 装置 真空 压力 浸渍 方法 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种新型浸渍漆方法及设备,主要涉及一种带低能电子束装置的真空压力浸渍方法及设备;主要用于电机或电器设备的浸渍处理。

技术背景

现有电机和电器等设备许多都需要进行浸漆处理,现有的浸漆处理很多是采用真空压力浸渍烘干工艺,一般的真空压力浸渍烘干工艺为:

预烘除湿→入罐→真空排气→真空浸渍→压力浸渍→压力排漆→卸压滴漆→固化干燥。简称为VPI(真空压力浸渍)工艺,其中VPI(真空压力浸渍)工艺的浸渍阶段在真空压力浸渍设备完成,固化干燥阶段在热烘干燥箱完成;VPI(真空压力浸渍)工艺的压力浸渍阶段和固化阶段均在浸渍缸中完成。在现有的VPI(真空压力浸渍)工艺中,目前的连续真空浸渍烘干工艺为浸渍漆领域中比较先进的真空压力浸漆处理工艺,该工艺有以下几点优势:一是在完全密封的容器中完成浸渍干燥过程,挥发的气体通过冷凝管冷却后排放,符合环保要求;二可节约能源和降低成本,连续的浸渍干燥工序缩短了生产周期,热烘干燥温度也可比烘箱稍低,因此,能节省能量和降低成本。可见连续真空浸渍烘干工艺比VPI工艺更符合社会提倡的节能环保要求,将成为电器设备绝缘处理的主流。但现有连续真空浸渍烘干工艺也存在一些问题:a,厚层固化困难;b, 溶剂或活性稀释剂的挥发,使漆膜表面不平整,影响漆膜质量和美观;c,氧阻聚的影响,表层固化不完全;d,生产周期长。

随着社会的发展,环境的污染和能源的减少,社会对提倡节能减排的呼声越来越高,电机电器的更新,漆膜的性能要求也相应提升,但目前的连续真空浸渍漆烘干装置还未能很好地满足这些要求,这就需要开发新型的连续真空压力浸渍烘干设备,以满足社会的需要。

发明内容

本发明目的是为了解决普通的一般真空压力浸渍烘干装置不能满足节能环保要求,而连续真空浸渍烘干工艺虽然环保,却又存在厚层固化困难、 溶剂或活性稀释剂的挥发使漆膜表面不平整、表层固化不完全、生产周期长等问题,提供一种新型真空压力浸渍烘干设备及真空压力浸渍烘干方法;该真空压力浸渍烘干设备及方法既能解决环保问题,又能进一步提高漆层的固化效率和漆膜表面的平整度。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的:

一种带低能电子束装置的真空压力浸渍设备,包括贮漆缸、浸渍缸、抽真空装置、加热装置和冷却装置,贮漆缸通过管道连接在浸渍缸下面,加热装置也通过管道连接在浸渍缸旁边;在浸渍缸顶部还通过管道连接有冷却装置;在浸渍缸和贮漆缸上都设有抽真空装置;其特点在于在浸渍缸旁边设有低能电子束装置,低能电子束装置与浸渍缸用管道连接,在低能电子束装置与浸渍缸连接的管道中间有一层钛箔。 

优选地,所述的低能电子束装置内设有灯丝,灯丝为低能电子束装置提供热电子,且在低能电子束装置内设有电子加速器,电子加速器对灯丝所提供的热电子进行加速,形成低能电子束;电子束的加速电压在180-220Kev,电子流在18-22mA。

优选地,所述灯丝置于在真空腔内,为电子加速提供真空环境。

利用上述装置的真空压力浸渍烘干方法是,利用浸渍缸和抽真空装置与加热装置对浸渍物实施真空压力浸渍和烘干处理,其特点在:在浸渍缸旁设置低能电子束装置,通过低能电子束装置产生低能电子束,对浸渍物实施辐射处理,使浸渍漆在加温过程前期就能辐射固化,再用加热装置快速加热到固化温度,使之完全固化,最后开冷却装置,冷却后取出浸渍物,完成整个真空压力浸渍烘干。

所述的浸渍和烘干为同一缸(浸渍缸)内处理。

本发明的优点:

本发明所述装置保持了普通的真空压力浸渍烘干设备的加热装置、冷却装置和抽真空装置等,使浸渍漆能很好地通过漆液重力和毛细管作用浸入到浸渍物中,并最终能完成固化,形成漆膜,同时还引入了低能电子束装置,使浸渍漆在加温过程前期就能辐射固化,最后在适当温度下完全固化。此低能电子束装置改进的真空压力浸渍烘干装置有下面几个优点:1、减少了活性稀释剂的挥发,环境污染小;2、由于气体挥发量小,漆膜平整无气隙,表面美观,性能得以保证;3、辐射可增加浸渍漆的交联密度,使其具有更好的热性能和机械性能;4、解决了浸渍漆厚层和表层固化不完全的缺陷;5、有效缩短固化周期,提高生产效率,同时节约了能源。

说明书附图

图1为本发明的结构示意图;

图2为本发明的低能电子束装置结构示意图;

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