[发明专利]发光装置及照明装置有效
申请号: | 201210051611.X | 申请日: | 2012-03-02 |
公开(公告)号: | CN102655220A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 棚田好文;森英典 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H05B33/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 崔成哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 照明 | ||
技术领域
本发明涉及一种使用在一对电极之间具有包括有机化合物的发光层的EL元件的发光装置或照明装置。
背景技术
近年来,对在一对电极之间具有包括有机化合物的发光层(以下也称为EL层)的发光元件(电致发光元件:也称为EL元件)进行积极的研究开发。照明领域作为其用途之一而备受瞩目。这是由于使用EL元件的照明装置具有其他照明设备不具有的特征,诸如可以制造为薄型且轻量或可以进行面发光等。
另外,由于EL元件将电力转换为光的效率高且具有较高的节能可能性而备受瞩目。另外,通过选择不同的衬底可以提供具有柔性的照明装置、耐物理性破坏强的具有耐冲击性强的照明装置或非常轻的照明装置。
专利文献1公开一种使用有机EL元件的照明设备。
[专利文献1]
日本特开2009-130132号公报
在一个衬底上形成具有多个发光区域的EL元件或形成多个EL元件时,至少需要将一方的电极构图成所希望的形状。当对一对电极中的衬底一侧的电极进行构图时可以利用光刻技术,而当对另一方的电极进行构图时,由于需要在形成包含有机化合物的发光层之后再进行构图,所以利用使用溶剂的光刻技术极为困难。
为此,在该情况下,通常使用金属掩模(遮蔽掩膜)进行构图。该方法是在衬底与材料源之间设置金属掩模,并通过该金属掩模的开口部在衬底上进行成膜以此进行构图的方法。
但是,与光刻工序中所使用的光掩模相比,该金属掩模的对准精度及图案加工精度都差很多,所以在进行部分选择性的成膜时,成膜区域周边需要充分的富裕。也就是说,与经过光刻工序而进行的构图相比,使用金属掩模的构图的面积损失相当大。所以,使用金属掩模制造的照明装置的发光区域变小该面积损失量。为了在发光区域小的照明装置中获得所希望的亮度,需要使其流过比发光区域大的照明装置更大的电流,但是由于使其流过大电流而使劣化加快,而有可能影响其寿命。
另外,虽然金属掩模与衬底的距离越短越能够形成精密的图案,但是,当将金属掩模与衬底靠得过近时,金属掩模与衬底表面接触而有可能损伤已经形成的发光层等。此外,有时附着在金属掩模上的尘屑等会附着到衬底上。由于发光层受损或尘屑附着等引起短路或非发光区域的形成等,由此导致可靠性或制造成品率的降低。
发明内容
于是,本发明的目的在于提供一种可靠性高的发光装置或照明装置。另外,本发明的目的在于提供一种制造成品率高的发光装置或照明装置。
另外,当作为照明装置而使用时,耗电量小可成为较大的优点。于是,本发明的目的在于提供一种解决上述课题中的至少一个并能够降低接触电阻的耗电量更小的发光装置或照明装置。
本发明解决上述课题中的至少一个即可。
鉴于上述问题,本发明人发现一种具有接触结构的发光装置,该发光装置包括以倒锥形为代表的与上部轮廓相比底部轮廓位于内侧的形状的分离层,并利用延伸至分离层的上部轮廓内侧的发光层的量与延伸至分离层的上部轮廓内侧的上部电极的量的差。另外,本发明人还发现通过在将形成该接触结构的分离层的轮廓设置为凹凸形状,可以增加该接触可能部分的长度,从而可以降低接触电阻。
也就是说,本发明的一个方式是一种发光装置,其包括:形成在绝缘表面上的发光元件,该发光元件包括:离绝缘表面近的第一电极;与第一电极对置的第二电极;以及设置在第一电极与第二电极之间的含有发光物质的有机化合物层,在第一电极与有机化合物层与第二电极互相接触且重叠的部分中形成有发光区域,所述发光装置还包括沿着发光区域的一边具有与底部相比上部更突出于外侧的突出部的分离层,在分离层下方具有与第一电极电隔离的导电层,其中,发光区域的有机化合物层与第二电极延伸至分离层的突出部的檐下部分,并且第二电极比有机化合物层更为延伸至突出部的轮廓的内侧,由此第二电极与导电层电连接,分离层的突出部的面向发光区域的轮廓的长度和比发光区域的面向分离层的边的长度和长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择