[发明专利]一种硅系无卤阻燃PC的配方及其制作方法

权利要求书

1.一种硅系无卤阻燃PC的配方，其特征是该配方组份为：PC 83－90份、聚硅氧烷类阻燃剂6－10份、抗氧化剂 0.2-1份、润滑剂 0.5-1份、MBS 3－5份、其它加工助剂0.5-1份。

2.根据权利要求1所述的一种硅系无卤阻燃PC的配方，其特征是所述抗氧剂为抗氧剂1010和抗氧剂168的复合物，所述润滑剂为EBS和硬脂酸锌的复合物，所述其它加工助剂为硅酮粉。

3.根据权利要求1所述的一种硅系无卤阻燃PC的制作方法，其特征是它包括以下步骤：步骤一，选取PC原料，然后烘料；

步骤二，将PC原料搅拌，然后加入硅油搅拌一段时间，再加入抗氧化剂、润滑剂及其它加工助剂搅拌一段时间，加入MBS搅拌一段时间，最后加入聚硅氧烷类阻燃剂搅拌一段时间，得到半成品；

步骤三，将步骤二中的半成品进行挤出，然后进行冷却，最后进行切粒，得到成品。

4.根据权利要求3所述的一种硅系无卤阻燃PC的制作方法，其特征是所述步骤一中将PC原料在120-135度下烘4小时。

5.根据权利要求3所述的一种硅系无卤阻燃PC的制作方法，其特征是所述步骤二中加入硅油搅拌1-2分钟，加入抗氧化剂、润滑剂及其它加工助剂搅拌1-2分钟，加入MBS搅拌30秒，最后加入聚硅氧烷类阻燃剂搅拌30秒。

6.根据权利要求3所述的一种硅系无卤阻燃PC的制作方法，其特征是所述步骤三中采用同向平行双螺杆将步骤二中的半成品进行挤出，温度设定范围220-245度，主机转速350-600转，螺杆选用高分散性螺杆组合。

7.根据权利要求3所述的一种硅系无卤阻燃PC的制作方法，其特征是所述步骤三中采用水冷和风冷方式进行冷却。

8.根据权利要求3所述的一种硅系无卤阻燃PC的制作方法，其特征是所述步骤三中采用龙门式切粒机切粒，切得的粒子大小为3*3mm。